[实用新型]一种机械打断及熔断组合多断口激励熔断器

权利要求书

1.一种机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于包括壳体、在所述壳体内开设有空腔，至少一根导体穿设在所述壳体中并从所述空腔中穿过；在所述壳体空腔内设置有至少一个激励装置和一个打断装置；所述激励装置可接收外部激励信号驱动所述打断装置动作，断开与其对应的导体并在所述导体上形成至少两个断口；在所述导体上并联设置有至少一根熔体；所述熔体与其中至少一个断口并联，所述熔体与至少一个断口串联。

2.根据权利要求1所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于在所述壳体中设置有填充有灭弧介质的灭弧腔室；所述熔体部分或全部穿设在所述灭弧腔室中，所述熔体的熔断断口位于所述灭弧腔室中。

3.根据权利要求1所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于与所述熔体并联的断口先断开形成，与熔体串联的断口后断开形成。

4.根据权利要求1、2、3任一所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于在所述壳体内开设有至少两个相邻空腔，导体穿设在所述壳体中并从所述相邻空腔中穿过；所述导体一侧的每个空腔中设置有一个激励装置和一个打断装置；不同所述空腔中的激励装置和打断装置可以位于所述导体的同一侧或不同侧；所述打断装置上设置有至少一个冲击头，所述激励装置可接收外部激励信号驱动与其对应的打断装置打断导体形成至少一个断口。

5.根据权利要求1、2、3任一所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于所述打断装置上间隔设置有至少两个冲击头，每个冲击头在导体上至少形成一个断口。

6.根据权利要求5所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于所述冲击头与导体间距离不同；与导体距离最近的冲击头在导体上最先形成断口；所述熔体并联在最先断开的断口处。

7.根据权利要求1所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于所述激励装置为气体发生装置；所述打断装置为活塞，所述打断装置与所述空腔的接触面处为密封接触或小于0.1mm的间隙接触。

8.根据权利要求1所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于所述打断装置与所述空腔间设置有保持所述打断装置初始位置的限位结构。

9.根据权利要求1所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于在所述打断装置对应的导体上设置有降低导体强度的断开薄弱处，所述断口在所述断开薄弱处断开形成。

10.根据权利要求9所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于所述断开薄弱处为在导体开设的减截面结构、提高导体断口处应力结构及或在导体断口处采用机械强度低的材料。

11.根据权利要求10所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于所述减截面结构为在导体的一边侧或两边侧开设缺口、在导体一面或两面横跨其宽度开设U型槽、V型槽、在导体上开设孔的一种或多种结构组合。

12.根据权利要求1、2、3任一所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于在所述熔体上设置有熔断薄弱处，熔体在熔断薄弱处熔断。

13.根据权利要求12所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于所述熔体薄弱处为在熔体上开设的变截面结构、狭径、及或在熔体上设置的低温熔化导体、及或应用导电率不同的导体材料。

14.根据权利要求1所述的机械打断及熔断组合多断口激励熔断器，其特征在于所述熔体延长绕过至少一个串联断口后与并联断口连接，形成与导体产生电磁场相互作用的电磁场拉长导体断口形成后的电弧路径。