[实用新型]一种射频模块的隔离电路有效
| 申请号： | 202022983122.0 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN213846648U | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 黄堃;王永利;夏剑平;关允超;胡建飞 | 申请（专利权）人： | 思诺威科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人： | 张明明 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 模块 隔离 电路 | ||
1.一种射频模块的隔离电路，其特征在于，
所述射频模块的隔离电路包括：n个开关支路、n-1个感性元件和一个控制电路；一个开关支路包括m个串联连接的开关管；
第一开关支路的漏极同时与信号输入端和第一感性元件的一端连接；第二开关支路的漏极同时与第一感性元件的另一端和第二感性元件的一端连接；依次类推，第n-1开关支路的漏极同时与第n-2感性元件的另一端和第n-1感性元件的一端连接；第n开关支路的漏极同时与第n-1感性元件和信号输出端连接。
2.根据权利要求1所述的射频模块的隔离电路，其特征在于，
所述开关支路的栅极同时连接m个开关管的栅极。
3.根据权利要求1所述的射频模块的隔离电路，其特征在于，
所述开关支路的漏极连接第一开关管的漏极，第一开关管的源极连接第二开关管的漏极，依次类推，第m-1开关管的源极连接第m开关管的漏极，第m开关管的源极连接开关支路的源极。
4.根据权利要求1所述的射频模块的隔离电路，其特征在于，
所述控制电路的控制信号输出端与开关支路的栅极连接。
5.根据权利要求1所述的射频模块的隔离电路，其特征在于，
所述开关支路的源极连接参考地。
6.根据权利要求1所述的射频模块的隔离电路，其特征在于，
所述隔离电路的拓扑结构包括单端结构、差分结构。
7.根据权利要求1所述的射频模块的隔离电路，其特征在于，
所述开关管包括：MOSFET开关管、MESFET开关管、PHEMT开关管、Bipolar开关管、HBT等场效应管和三极管。
8.根据权利要求1所述的射频模块的隔离电路，其特征在于，
所述隔离电路中的各个感性元件的阻抗值相等。
9.根据权利要求1所述的射频模块的隔离电路，其特征在于，
所述感性元件包括电感、传输线。
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