[实用新型]一种射频模块的隔离电路有效
申请号: | 202022983122.0 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN213846648U | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 黄堃;王永利;夏剑平;关允超;胡建飞 | 申请(专利权)人: | 思诺威科技(无锡)有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人: | 张明明 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 模块 隔离 电路 | ||
本实用新型公开了一种射频模块的隔离电路,属于射频微波技术领域。射频模块的隔离电路包括n个开关支路、n‑1个感性元件和一个控制电路,一个开关支路包括m个串联连接的开关管;该隔离电路拓扑结构简单实用,适用于任意射频集成电路,并可根据实际需求调整支路开关数;在直通状态下功耗极低,插入损耗小,可插入在任意两个射频模块之间,对整体系统影响小;在隔离状态下,显著提升了隔离度,解决了现有方案中隔离度不足的问题;版图面积较小,解决了面积浪费的问题。
技术领域
本实用新型属于射频微波技术领域,更具体地,涉及一种射频模块的隔离电路。
背景技术
随着通信技术的发展,链路结构越来越复杂。链路和模块的增益也越来越高。如果模块和链路的隔离度不够,就会造成噪声,线性度等收发机关键性能的恶化,链路中常用的可变增益放大器,移相器等模块的增益和相位也会受到影响。更有甚者,如果隔离度太差甚至会造成链路自激振荡。而模块的隔离度提高难度较大,因此如何改善射频模块之间的隔离度,成为亟需重点解决的问题。
若提升模块自身的隔离度,会造成该模块的插损、匹配等性能的恶化。会使模块自身结构复杂化,导致版图面积增大。
目前传统的隔离解决方案采用开关管来提高隔离度,其结构如图1所示。当控制信号Vc为高电平时,控制信号Vc相连的两个串联支路开关导通,控制信号相连的并联支路开关关闭,此时电路处于导通状态;当控制信号Vc为低电平时,控制信号Vc相连的两个串联支路开关关闭,控制信号相连的并联支路开关导通,此时电路处于隔离状态。由于传统方案导通状态下输入与输出之间受到开关自身导通阻抗的影响,会导致插入损耗恶化;而隔离状态下输入与输出之间受到开关自身寄生电容的影响,会导致隔离度有限。因此传统方案存在插入损耗恶化与隔离度不足的问题。
实用新型内容
为解决现有技术中存在的不足,本实用新型的目的在于,提供一种射频模块的隔离电路,包括多个并联连接的开关支路和一个控制电路,其中每两个开关支路之间串联连接一个感性元件;该隔离电路在应用与射频链路时,实现在直通状态下功耗极低、插入损耗小的性能,在隔离状态下,显著提升隔离度。
本实用新型采用如下的技术方案。
一种射频模块的隔离电路包括:n个开关支路、n-1个感性元件和一个控制电路;一个开关支路包括m个串联连接的开关管;
第一开关支路的漏极同时与信号输入端和第一感性元件的一端连接;第二开关支路的漏极同时与第一感性元件的另一端和第二感性元件的一端连接;依次类推,第n-1开关支路的漏极同时与第n-2感性元件的另一端和第n-1感性元件的一端连接;第n开关支路的漏极同时与第n-1感性元件和信号输出端连接。
优选地,
开关支路的栅极同时连接m个开关管的栅极。
优选地,
开关支路的漏极连接第一开关管的漏极,第一开关管的源极连接第二开关管的漏极,依次类推,第m-1开关管的源极连接第m开关管的漏极,第m开关管的源极连接开关支路的源极。
优选地,
控制电路的控制信号输出端与开关支路的栅极连接。
优选地,
开关支路的源极连接参考地。
优选地,
隔离电路的拓扑结构包括单端结构、差分结构。
优选地,
开关管包括:MOSFET开关管、MESFET开关管、PHEMT开关管、Bipolar开关管、HBT等场效应管和三极管。
优选地,
隔离电路中的各个感性元件的阻抗值相等。
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