[实用新型]脉冲宽度调制信号产生电路

权利要求书

1.一种脉冲宽度调制信号产生电路，其特征在于，包括开关模块和充放电切换模块，其中：

所述开关模块的第一端用于接收输入的第一PWM信号，所述开关模块的第二端用于输出第二PWM信号，所述开关模块的第三端与电源端连接，所述开关模块的第四端与所述充放电切换模块连接；所述开关模块用于在所述第一PWM信号为低电平的情况下，导通所述开关模块的第三端与所述开关模块的第二端之间的连接，以输出正电压信号，以及导通所述开关模块的第三端与所述开关模块的第四端之间的连接，以给所述充放电切换模块充电；

所述充放电切换模块包括共用储能电容的充电开关支路和放电开关支路；

所述充电开关支路的第一端为所述储能电容的正极，与所述开关模块的第四端连接，所述充电开关的第二端接地；所述充电开关支路用于在接收到所述电源端输出的电压时导通，以给所述储能电容充电；

所述放电开关支路的第一端与所述开关模块的第一端连接，所述放电开关支路的第二端与所述开关模块的第二端连接，所述放电开关支路的第三端为所述储能电容的正极，所述放电开关支路的第四端接地；所述放电开关支路用于在所述第一PWM信号为高电平信号的情况下，导通所述放电开关支路的第三端与所述放电开关支路的第四端的连接，并导通所述放电开关支路的第三端与所述放电开关支路的第二端之间的连接，以输出负电压信号。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述开关模块包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管和所述第二三极管均为PNP型三极管；

所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极均连接至所述开关模块的第一端；所述第二三极管的集电极为所述开关模块的第二端；所述第一三极管的发射极为所述开关模块的第三端；所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的发射极连接，为所述开关模块的第四端。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述开关模块还包括第一电阻和第二电阻，所述第一三极管的基极通过所述第一电阻连接至所述开关模块的第一端，所述第二三极管的基极通过所述第二电阻连接至所述开关模块的第二端。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述开关模块包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管均为PMOS管；

所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极均连接至所述开关模块的第一端；所述第二MOS管的漏极为所述开关模块的第二端；所述第一MOS管的源极为所述开关模块的第三端；所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接，为所述开关模块的第四端。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述充电开关支路包括所述储能电容和第三三极管，所述第三三极管为NPN型三极管；

所述第三三极管的基极连接至所述储能电容的正极，所述储能电容的负极与所述第三三极管的集电极连接，所述第三三极管的发射极为所述充电开关支路的第二端。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述充电开关支路还包括第三电阻，所述第三三极管的基极通过所述第三电阻连接至所述储能电容的正极。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述充电开关支路包括所述储能电容和第三MOS管，所述第三MOS管为NMOS管；

所述第三MOS管的栅极连接至所述储能电容，所述储能电容的负极与所述第三MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的源极为所述充电开关支路的第二端。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述放电开关支路包括所述储能电容、第四三极管和第五三极管，所述第四三极管和所述第五三极管均为NPN型三极管；

所述第四三极管的基极连接至所述放电开关支路的第一端；所述第五三极管的集电极为所述放电开关支路的第二端；所述第四三极管的集电极与所述储能电容的正极连接；所述第四三极管的发射极为所述放电开关支路的第四端，所述第五三极管的基极连接至所述第四三极管的发射极；所述储能电容的负极与所述第五三极管的发射极连接。