[实用新型]一种用于太阳能电池的刻蚀装置有效
申请号: | 202023004142.5 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN213752640U | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 仲伟佳;杨晓君;任现坤;宋超;张洪岩;郭瑞静;姜川;曹振;葛永见;陈冲;韩其家 | 申请(专利权)人: | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 于晓晓 |
地址: | 250103 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 太阳能电池 刻蚀 装置 | ||
本实用新型涉及一种用于太阳能电池的刻蚀装置,属于太阳能电池的技术领域。包括装置本体、伸缩装置和多个液体槽。所述装置本体的内部设有三个挡板,将装置本体内部依次分隔成第一区域、第二区域、第三区域和第四区域;所述装置本体的上部设有滑轨;所述滑轨下方设置有伸缩装置;所述第一区域设有液体槽Ⅱ;所述第二区域设有旋转装置;所述旋转装置包括旋转轴和五个固定于旋转轴上的连接杆;所述五个连接杆均匀分布在旋转轴的圆周上;所述连接杆的另一端连接有液体槽Ⅰ;所述第三区域设有液体槽Ⅲ;所述第四区域设有热风机。本实用新型合理的利用了空间,将原有的多个横置液体槽收缩至类似转盘的装置上,减小了设备的占地面积。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池的技术领域,具体涉及一种用于太阳能电池的刻蚀装置。
背景技术
太阳能电池又称为太阳能光伏,是一种通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。刻蚀作为太阳电池生产中的第三道工序,其主要作用是去除扩散后硅片四周的N型硅,防止漏电。现有的刻蚀设备设有多个处理工段,如刻蚀段、水洗段、酸洗段、碱洗段等。这些工段各自独立,一字排开,会占用较大的面积,这不利于扩大生产规模。
实用新型内容
针对现有技术中太阳能电池刻蚀装置占地面积大的问题,本实用新型提供一种用于太阳能电池的刻蚀装置,以解决上述问题。
一种用于太阳能电池的刻蚀装置,包括装置本体、伸缩装置和多个液体槽。所述装置本体的内部设有三个挡板,将装置本体内部依次分隔成第一区域、第二区域、第三区域和第四区域;所述装置本体的上部设有滑轨;所述滑轨下方设置有伸缩装置;所述伸缩装置包括垂直的伸缩杆和与伸缩杆连接的花篮;所述伸缩装置沿滑轨在装置本体的内部运动;所述第一区域设有液体槽Ⅱ;所述液体槽Ⅱ设有夹层;所述第二区域设有旋转装置;所述旋转装置包括旋转轴和五个固定于旋转轴上的连接杆;所述旋转轴固定在装置本体内部,通过驱动装置驱动;所述五个连接杆均匀分布在旋转轴的圆周方向上;所述连接杆的另一端连接有液体槽Ⅰ;所述第三区域设有液体槽Ⅲ;所述液体槽Ⅲ设有夹层;所述第四区域设有热风机;所述第一区域设有入口,第四区域设有出口。
优选的,所述旋转装置、伸缩装置和热风机通过计算机控制运行。
优选的,所述夹层中通入冷水。
优选的,所述第一区域、第二区域、第三区域和第四区域上方设有引风装置。
优选的,所述液体槽Ⅱ中装有氢氟酸和硝酸的混合溶液。
优选的,所述液体槽Ⅲ中装有氢氧化钠水溶液。
优选的,所述液体槽Ⅰ为五个,其中一个槽装有氢氟酸,一个槽装有氢氟酸和硝酸的混合溶液,其余三个槽装有水。
本实用新型的工作原理为:从前一步传送来的硅片由入口进入装置本体,放置于花篮上,经外部计算机控制移动至第二区域,当硅片位于液体槽Ⅰ上方时,停止移动,此时液体槽Ⅰ内氢氟酸,控制伸缩杆向下伸出,直到硅片距离液面为1mm时停止操作,靠液体的张力接触硅片进行除PSG操作;待去除完成后,控制伸缩杆缩回,提起硅片,然后移动至第一区域液体槽Ⅱ的上方,重复前一步操作,进行刻蚀;待刻蚀完成后,提起硅片,再次移动至第二区域,此时通过转动旋转装置,调整液体槽Ⅰ内液体,将装有水的液体槽转动至硅片下方,将刻蚀后的硅片进行水洗。后续的酸洗、碱洗按照上述的方法操作。洗涤完成后,将硅片移动至第四区域,利用热风机将将硅片吹干,然后通过出口将硅片转移出刻蚀机。
本实用新型的有益效果为:
本实用新型合理的利用了空间,将可常温操作的酸洗、碱洗步骤的液体槽放置于旋转装置上,将原有的多个横置液体槽收缩至类似转盘的装置上。这样在后期扩大生产规模时,减小了因占地面积而导致的不利因素。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造