[实用新型]一种含氟C4F8电子气体纯化设备有效
申请号: | 202023051970.4 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN213913041U | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 叶小丽;刘文丽;李飞娥;王俊果;郭帅杰;韩列光;姬文博;刘乐通 | 申请(专利权)人: | 伊川湄格气体有限公司 |
主分类号: | B01D53/04 | 分类号: | B01D53/04;B01D53/26;B01D53/00;B01D3/14;B01D3/32 |
代理公司: | 河南广文律师事务所 41124 | 代理人: | 王自刚 |
地址: | 471311 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 c4f8 电子 气体 纯化 设备 | ||
本实用新型采用介绍了一种含氟C4F8电子气体纯化设备,包括分子筛装置、多级吸附装置、精馏装置,分子筛装置输入端与含氟C4F8电子气体联通,分子筛装置输出端通过管路与多级吸附装置输入端联通,多级吸附装置输出端通过管路与精馏装置联通;分子筛装置为由多个的3A分子筛并联联通组成。本实用新型通过分子筛装置的吸附除杂,及第一吸附装置、第二吸附装置至第N吸附装置的多次吸附除杂,然后再经精馏装置的精馏、冷疑和再沸脱去杂质,得到高纯的含氟C4F8电子气体;结构简单,生产成本低,操作方便。
技术领域
本实用新型涉及气体提纯技术领域,尤其涉及一种含氟C4F8电子气体纯化设备。
背景技术
随着超大规模集成电路、LED技术的迅速发展,C4F8电子气体需求量的年增长率保持在30%以上,由于C4F8电子气体中氧含量杂子对半导体IC制程的光刻工艺影响比较大,为此,降低电子气体中氧含量杂子,是提高C4F8电子气体的高纯度途径。现有技术中的含氟C4F8电子气体的提纯,是当前需要解决的问题。
发明内容
为解决现有技术中存在的上述技术问题,本实用新型目的在于提供一种含氟C4F8电子气体纯化设备。
为实现上述发明目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种含氟C4F8电子气体纯化设备,包括:分子筛装置、多级吸附装置、精馏装置,所述分子筛装置输入端与含氟C4F8电子气体联通,分子筛装置输出端通过管路与多级吸附装置输入端联通,多级吸附装置输出端通过管路与精馏装置联通;所述分子筛装置为多个的3A分子筛并联联通组成。
一种含氟C4F8电子气体纯化设备,所述多级吸附装置为多个由第一吸附装置至第二吸附装置串联组成,每个吸附装置由若干吸附器通过阀门及管道并联联通组成。
一种含氟C4F8电子气体纯化设备,所述精馏装置由精馏塔、冷疑器和再沸器组成,所述精馏塔顶端连接冷疑器,精馏塔顶端连接再沸器。
由于采用如上所述技术方案,本实用新型具有以下有益效果:
一种含氟C4F8电子气体纯化设备,通过分子筛装置的吸附除杂,及第一吸附装置、第二吸附装置至第N吸附装置的多次吸附除杂,然后再经精馏装置的精馏、冷疑和再沸脱去杂质,得到高纯的含氟C4F8电子气体。其结构简单,生产成本低,操作方便。
附图说明
图1含氟C4F8电子气体纯化设备的实施图。
图中,1-分子筛装置,1.1-3A分子筛,1.2-3A分子筛,2-第一吸附装置,2.1-吸附器,2.2-吸附器,3-第N吸附装置,4-精馏装置,4.1-精馏塔,4.2-冷疑器,4.3-再沸器。
具体实施方式
以下实例仅仅是进一步说明本实用新型,并不是限制本实用新型保护的范围。
如图1所示,一种含氟C4F8电子气体纯化设备,包括:分子筛装置1、多级吸附装置、精馏装置4,所述分子筛装置1输入端与含氟C4F8电子气体粗品联通,分子筛装置1输出端通过管路与多级吸附装置输入端联通,多级吸附装置输出端通过管路与精馏装置4联通;所述分子筛装置为多个的3A分子筛1.1、3A分子筛1.2并联联通。或4A至5A分子筛组成中的一种。
所述多级吸附装置为多个由第一吸附装置2、第二吸附装置至第N吸附装置3串联组成,每个吸附装置由若干吸附器2.1、吸附器2.2通过阀门及管道并联联通。所述精馏装置4由精馏塔4.1、冷疑器4.2和再沸器4.3组成,所述精馏装置4顶端连接冷疑器,精馏塔底端连接再沸器4.3。
本实用新型C4F8电子气体粗品先经过分子筛吸附除去水分,再进入第一吸附装置、第二吸附装置至第N吸附装置的吸附作用,吸附后的含氟C4F8电子气体再经过精馏装置精馏、冷疑和再沸脱去杂质,得到高纯的含氟C4F8电子气体。
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