[实用新型]存储器单元和存储器单元阵列

权利要求书

1.一种存储器单元，其特征在于，包括：

成对的交叉耦合反相器，包括：

第一晶体管，包括沿着第一轴线延伸的第一有源区和横向于所述第一轴线延伸并与第一有源区交叠的第一栅极区；

第二晶体管，包括横向于所述第一轴线延伸并与所述第一有源区交叠的第二栅极区，所述第二栅极区沿着所述第一轴线与所述第一栅极区间隔开；

第三晶体管，包括沿第二轴线延伸并与所述第一栅极区交叠的第二有源区；以及

第四晶体管，包括沿着第三轴线延伸并与所述第二栅极区交叠的第三有源区；以及

第一读取端口，包括沿着第四轴线延伸的第四有源区，所述第四有源区与所述第一栅极区交叠。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，还包括：

第五晶体管，被定位成相邻于所述存储器单元的第一边，所述第五晶体管包括沿着所述第二轴线与所述第二有源区交叠的第三栅极区；以及

第六晶体管，被定位成相邻于所述存储器单元的与所述第一边相对的第二边，所述第六晶体管包括沿着所述第三轴线与所述第三有源区交叠的第四栅极区。

3.根据权利要求2所述的存储器单元，其特征在于，所述第五晶体管和所述第六晶体管是所述存储器单元的写入字线晶体管。

4.根据权利要求2所述的存储器单元，其特征在于，所述第一栅极区沿着栅极区的第一间距被定位，并且所述第二栅极区沿着栅极区的第二间距被定位，以及

其中所述第三栅极区沿着栅极区的第三间距被定位，并且所述第四栅极区沿着栅极区的第四间距被定位。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述第一晶体管和所述第三晶体管沿着栅极区的第一间距被定位，并且所述第二晶体管和所述第四晶体管沿着栅极区的第二间距被定位。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述第一有源区在所述存储器单元的栅极区的至少四个间距之间延伸。

7.根据权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述第一有源区位于所述第二有源区与所述第三有源区之间。

8.根据权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，包括：

第二读取端口，包括沿着第五轴线延伸并与所述第二栅极区交叠的第五有源区，所述第三晶体管沿着栅极区的第一间距定位于所述第一晶体管和所述第一读取端口的晶体管之间，并且所述第四晶体管沿着栅极区的第二间距定位于所述第二晶体管和所述第二读取端口的晶体管之间。

9.根据权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述第一有源区跨所述存储器单元的第一边和所述存储器单元的与所述第一边相对的第二边延伸，以及虚设晶体管包括与所述第一有源区交叠的第三栅极区，所述第三栅极区被定位成相邻于所述第一边。

10.一种存储器单元阵列，其特征在于，包括：

第一存储器单元，具有第一对交叉耦合反相器，所述第一对交叉耦合反相器包括：

第一晶体管，包括沿着第一轴线延伸的第一有源区，并且包括横向于所述第一轴线延伸并且与所述第一有源区交叠的第一栅极区；

第二晶体管，包括横向于所述第一轴线延伸并与所述第一有源区交叠的第二栅极区，所述第二栅极区沿着所述第一轴线与所述第一栅极区间隔开；以及

第二存储器单元，具有第二对交叉耦合反相器，所述第二对交叉耦合反相器包括：

所述第一有源区，沿着所述第一轴线从所述第一存储器单元延伸到所述第二存储器单元中；

第三晶体管，包括横向于所述第一轴线延伸并与所述第一有源区交叠的第三栅极区；以及

第四晶体管，包括横向于第一方向延伸并与所述第一有源区交叠的第四栅极区，所述第四栅极区沿着所述第一轴线与所述第三栅极区间隔开。