[实用新型]存储器单元和存储器单元阵列

说明书

本公开涉及存储器单元和存储器单元阵列。实施例公开了具有小面积和高效纵横比的SRAM布局。一种存储器单元，包括一组有源区，该有源区与一组栅极区交叠以形成成对的交叉耦合反相器。第一有源区沿第一轴线延伸。第一栅极区横向于第一有源区延伸并与第一有源区交叠，以形成该对交叉耦合反相器的第一晶体管。第二栅极区横向于第一有源区延伸并与第一有源区交叠，以形成该对交叉耦合反相器的第二晶体管。第二有源区沿第二轴线延伸并与第一栅极区交叠，以形成该对交叉耦合反相器的第三晶体管。第四有源区沿第三轴线延伸并与栅极区交叠，以形成读取端口的晶体管。

技术领域

本公开涉及计算机存储器领域，并且更具体地涉及静态随机存取存储器(SRAM)单元体系结构。

背景技术

传统的静态随机存取存储器(SRAM)由于其性能、易于接口、简单、相对低的待机功耗和鲁棒性的特点，而在许多计算环境中实现。然而，一个明显的缺点是传统SRAM布局拓扑占用的面积。这种传统SRAM 布局的尺寸对于应用(该应用中空间是个问题)，可能是一个很大的抑制因素。

实用新型内容

鉴于上述针对传统SRAM布局拓扑占用的面积大的问题，本公开的实施例旨在提供改进的存储器单元和存储器单元阵列。

本公开的实施例提供了一种存储器单元，包括：成对的交叉耦合反相器和第一读取端口。成对的交叉耦合反相器包括：第一晶体管，包括沿着第一轴线延伸的第一有源区和横向于第一轴线延伸并与第一有源区交叠的第一栅极区；第二晶体管，包括横向于第一轴线延伸并与第一有源区交叠的第二栅极区，第二栅极区沿着第一轴线与第一栅极区间隔开；第三晶体管，包括沿第二轴线延伸并与第一栅极区交叠的第二有源区；以及第四晶体管，包括沿着第三轴线延伸并与第二栅极区交叠的第三有源区。第一读取端口包括沿着第四轴线延伸的第四有源区，第四有源区与第一栅极区交叠。

在一些实施例中，存储器单元还包括：第五晶体管，被定位成相邻于存储器单元的第一边，第五晶体管包括沿着第二轴线与第二有源区交叠的第三栅极区；以及第六晶体管，被定位成相邻于存储器单元的与第一边相对的第二边，第六晶体管包括沿着第三轴线与第三有源区交叠的第四栅极区。

在一些实施例中，第五晶体管和第六晶体管是存储器单元的写入字线晶体管。

在一些实施例中，第一栅极区沿着栅极区的第一间距被定位，并且第二栅极区沿着栅极区的第二间距被定位，以及其中第三栅极区沿着栅极区的第三间距被定位，并且第四栅极区沿着栅极区的第四间距被定位。

在一些实施例中，第一晶体管和第三晶体管沿着栅极区的第一间距被定位，并且第二晶体管和第四晶体管沿着栅极区的第二间距被定位。

在一些实施例中，第一有源区在存储器单元的栅极区的至少四个间距之间延伸。

在一些实施例中，第一有源区位于第二有源区与第三有源区之间。

在一些实施例中，存储器单元包括：第二读取端口，第二读取端口包括沿着第五轴线延伸并与第二栅极区交叠的第五有源区，第三晶体管沿着栅极区的第一间距定位于第一晶体管和第一读取端口的晶体管之间，并且第四晶体管沿着栅极区的第二间距定位于第二晶体管和第二读取端口的晶体管之间。

在一些实施例中，第一有源区跨存储器单元的第一边和存储器单元的与第一边相对的第二边延伸，以及虚设晶体管包括与第一有源区交叠的第三栅极区，第三栅极区被定位成相邻于第一边。