[实用新型]一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉

权利要求书

1.一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉，包括气相沉积炉壳(1)，其特征在于：所述气相沉积炉壳(1)的底部焊接安装有气相沉积炉底座(2)，气相沉积炉壳(1)顶部安装有橡胶圈(3)，所述橡胶圈(3)的内部开设有位于气相沉积炉壳(1)内部的气相沉积炉内胆(4)，所述气相沉积炉内胆(4)的顶部开设有炉盖卡接槽(5)，所述炉盖卡接槽(5)的一侧焊接安装有位于气相沉积炉壳(1)外表面的搭扣(6)，所述搭扣(6)的顶部活动安装有固定环(7)，所述固定环(7)的顶部可拆卸安装有沉积炉盖(8)，所述沉积炉盖(8)的顶部焊接安装有连接管(9)，所述连接管(9)的一侧焊接安装有真空泵(10)，所述真空泵(10)的顶部开设有排气孔(11)，所述排气孔(11)的一侧焊接安装有位于沉积炉盖(8)外表面的固定凹块(12)，所述固定凹块(12)的底部焊接安装有位于沉积炉盖(8)底部的卡接环(13)，所述卡接环(13)的底部焊接安装有位于沉积炉盖(8)底部的抽风管(14)，所述抽风管(14)的底部焊接安装有抽气蓬头(15)，所述抽气蓬头(15)的底部开设有抽气孔(16)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉，其特征在于：所述气相沉积炉壳(1)安装在气相沉积炉底座(2)的顶部，且两侧焊接安装不可分开，气相沉积炉壳(1)的顶部与沉积炉盖(8)连接处、气相沉积炉壳(1)的开口处设有橡胶圈(3)。

3.根据权利要求1所述的一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉，其特征在于：所述搭扣(6)安装在气相沉积炉壳(1)的顶部四周，共安装有四个，且每个搭扣(6)都由搭扣(6)和固定环(7)组成，固定环(7)与沉积炉盖(8)四周安装的固定凹块(12)相吻合。

4.根据权利要求1所述的一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉，其特征在于：所述沉积炉盖(8)安装在气相沉积炉壳(1)的顶部，通过搭扣(6)和固定凹块(12)装置固定，且沉积炉盖(8)底部安装的卡接环(13) 与气相沉积炉内胆(4)顶部设有的炉盖卡接槽(5)相吻合。

5.根据权利要求1所述的一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉，其特征在于：所述连接管(9)一端安装在沉积炉盖(8)顶部，另一端安装在真空泵(10)的一侧，且连接管(9)穿过沉积炉盖(8)，与沉积炉盖(8)底部的抽风管(14)相通。

6.根据权利要求1所述的一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉，其特征在于：所述抽气蓬头(15)安装在沉积炉盖(8)的底部，且与抽风管(14)相通，抽气蓬头(15)底部开设有分布均匀的抽气孔(16)。