[实用新型]一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉

说明书

本实用新型涉及气相沉积炉技术领域，且公开了一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉，包括气相沉积炉壳，所述气相沉积炉壳的底部焊接安装有气相沉积炉底座，气相沉积炉壳顶部安装有橡胶圈，所述橡胶圈的内部开设有位于气相沉积炉壳内部的气相沉积炉内胆，本装置通过在沉积炉盖顶部安装真空泵，通过真空泵和连接管、抽风管、抽气蓬头等装置连接，使得炉内气场变的均匀，增加炉内气场的均匀性，从而达到了提高沉积效率的目的，本装置的沉积炉盖通过使用搭扣的方式进行固定，且沉积炉盖与气相沉积炉连接处设有橡胶圈，可防止气体流出，同时设有炉盖卡接槽，在安装使用方便的同时，也保证了装置的密封性。

技术领域

本实用新型涉及气相沉积炉技术领域，具体为一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉。

背景技术

化学气相沉积技术是应用气态物质在固体表面发生化学反应并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：(1)形成挥发性物质；(2)把上述物质转移至沉积区域；(3)在固体上产生化学反应并产生固态物质；现有的用于半导体的高温气相沉积炉，普遍存在气场不均匀的问题，在使用时易出现在炉内顶部位置出现涡流现象，使得用于半导体的高温气相沉积炉沉积效率低的问题，为此特意提出一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉。

现有的技术存在以下问题：

1、现有的用于半导体的高温气相沉积炉，普遍为常见的气相沉积炉，而普通的气相沉积炉在使用时易出现在炉内顶部位置出现涡流现象的问题，从而出现沉积效率低的问题。

2、现有的半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉，设备较为精密复杂，虽能解决炉内顶部位置出现涡流现象的问题，影响沉积效率的问题，但精密的设备使用出出现问题极难修复，且需要专业人员进行操作，实用性有所下降。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉，具备气场均匀、结构简单和实用性更高等优点，解决了气场不均匀、结构复杂和实用性较低的问题。

(二)技术方案

为实现上述一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉目的，本实用新型提供如下技术方案：一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉，包括气相沉积炉壳，所述气相沉积炉壳的底部焊接安装有气相沉积炉底座，气相沉积炉壳顶部安装有橡胶圈，所述橡胶圈的内部开设有位于气相沉积炉壳内部的气相沉积炉内胆，所述气相沉积炉内胆的顶部开设有炉盖卡接槽，所述炉盖卡接槽的一侧焊接安装有位于气相沉积炉壳外表面的搭扣，所述搭扣的顶部活动安装有固定环，所述固定环的顶部可拆卸安装有沉积炉盖，所述沉积炉盖的顶部焊接安装有连接管，所述连接管的一侧焊接安装有真空泵，所述真空泵的顶部开设有排气孔，所述排气孔的一侧焊接安装有位于沉积炉盖外表面的固定凹块，所述固定凹块的底部焊接安装有位于沉积炉盖底部的卡接环，所述卡接环的底部焊接安装有位于沉积炉盖底部的抽风管，所述抽风管的底部焊接安装有抽气蓬头，所述抽气蓬头的底部开设有抽气孔。

优选的，所述气相沉积炉壳安装在气相沉积炉底座的顶部，且两侧焊接安装不可分开，气相沉积炉壳的顶部与沉积炉盖连接处、气相沉积炉壳的开口处设有橡胶圈。

优选的，所述搭扣安装在气相沉积炉壳的顶部四周，共安装有四个，且每个搭扣都由搭扣和固定环组成，固定环与沉积炉盖四周安装的固定凹块相吻合。

优选的，所述沉积炉盖安装在气相沉积炉壳的顶部，通过搭扣和固定凹块装置固定，且沉积炉盖底部安装的卡接环与气相沉积炉内胆顶部设有的炉盖卡接槽相吻合。

优选的，所述连接管一端安装在沉积炉盖顶部，另一端安装在真空泵的一侧，且连接管穿过沉积炉盖，与沉积炉盖底部的抽风管相通。

优选的，所述抽气蓬头安装在沉积炉盖的底部，且与抽风管相通，抽气蓬头底部开设有分布均匀的抽气孔。