[实用新型]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，所述集成电路用于与电容式换能器接口连接，其特征在于，所述集成电路包括：

DC偏置电路，所述DC偏置电路包括：

电荷泵电路，所述电荷泵电路包括介于所述电荷泵电路的输入端与输出端之间的多个级联电荷泵级，各个电荷泵级包括联接至第一半导体器件的电容器，所述第一半导体器件位于第一阱区中，所述第一阱区嵌入基板中并掺杂有P型或N型材料，围绕所述第一阱区设置使所述第一阱区的至少一部分与所述基板绝缘的第一深沟槽隔离阻挡件；

静电放电电路，所述静电放电电路联接至所述电荷泵电路的输出端；以及

低通滤波器电路，所述低通滤波器电路被布置为从所述电荷泵电路的输出端接收信号。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电容器联接至第二半导体器件，所述第二半导体器件联接至所述第一半导体器件，所述第二半导体器件位于第二阱区中，所述第二阱区嵌入所述基板中并掺杂有与所述第一阱区的P型或N型材料互补的P型或N型材料，围绕所述第二阱区的至少一部分设置第二深沟槽隔离阻挡件。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电容器联接至第二半导体器件，所述第二半导体器件联接至所述第一半导体器件，所述第二半导体器件位于第二阱区中，所述第二阱区嵌入所述基板中并掺杂有与所述第一阱区的P型或N型材料互补的P型或N型材料，围绕所述第二阱区的至少一部分设置所述第一深沟槽隔离阻挡件。

4.根据权利要求2或3所述的集成电路，其特征在于，所述第一半导体器件或所述第二半导体器件包括二极管或晶体管。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括氧化物层，所述氧化物层在所述第一阱区下方埋设在所述基板中，并连接至所述第一深沟槽隔离阻挡件的至少一部分。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，围绕所述第一阱区的外围设置所述第一深沟槽隔离阻挡件，并且在所述第一阱区下方在所述基板中嵌入深阱。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括围绕所述第一深沟槽隔离阻挡件设置的外深沟槽隔离阻挡件。

8.根据权利要求1至3以及权利要求6至7中的任一项所述的集成电路，其特征在于，所述DC偏置电路被配置成，当所述DC偏置电路连接至供应3伏至6伏的直流电压的电源时，输出至少60伏的直流电压。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路与以下部件结合：

壳体，所述壳体具有外部设备接口；以及

电容式换能器，所述电容式换能器设置在所述壳体中，并且电联接至所述电荷泵电路的输出端，

其中，所述集成电路设置在所述壳体中，并且联接至所述外部设备接口。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述电容式换能器是微机电系统器件。