[实用新型]集成电路有效
申请号: | 202023080965.6 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN215772915U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | J·托夫特;M·沙扬;M·纳瓦扎;M·佩德森 | 申请(专利权)人: | 美商楼氏电子有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;H04R19/04;H01L27/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王青芝;王小东 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 | ||
本实用新型涉及集成电路。本实用新型描述了在麦克风组件中提供DC偏置电压的设备和方法。具体地,这种设备的一个实现方式可以在包括直流(DC)偏置电路的集成电路上实现。DC偏置电路可以联接至换能器并被配置成将DC偏置信号供应至换能器。DC偏置电路包括多级电荷泵和低通滤波器(LPF)电路。多级电荷泵包括制造有深沟槽隔离(DTI)的晶体管。
技术领域
本实用新型总体上涉及麦克风组件,诸如但不限于具有微机电系统(MEMS)换能器及其电路的麦克风组件。
背景技术
具有将声音转换成由集成电路调节或处理的电信号的换能器的麦克风通常与蜂窝电话、个人计算机和物联网(IoT)设备以及其它主机设备集成。一些这种换能器需要施加直流(DC)偏置电压才能工作。需要增大的偏置电压,以使换能器技术不断发展。
实用新型内容
本实用新型的一方面涉及集成电路,所述集成电路用于与电容式换能器接口连接,所述集成电路包括:DC偏置电路,所述DC偏置电路包括:电荷泵电路,所述电荷泵电路包括介于所述电荷泵电路的输入端与输出端之间的多个级联电荷泵级,各个电荷泵级包括联接至第一半导体器件的电容器,所述第一半导体器件位于第一阱区中,所述第一阱区嵌入基板中并掺杂有P型或N型材料,围绕所述第一阱区设置使所述第一阱区的至少一部分与所述基板绝缘的第一深沟槽隔离阻挡件;静电放电电路,所述静电放电电路联接至所述电荷泵电路的输出端;以及低通滤波器电路,所述低通滤波器电路联接至所述电荷泵电路的输出端。
所述集成电路还包括围绕所述第一深沟槽隔离阻挡件设置的外深沟槽隔离阻挡件。
所述DC偏置电路被配置成,当所述DC偏置电路连接至供应3伏至6伏的直流电压的电源时,输出至少60伏的直流电压。
附图说明
结合附图,根据以下描述和所附权利要求,本实用新型的目的、特征和优点将变得更加完全显而易见。附图仅描绘了代表性的实施方式,因此不被认为限制本实用新型的范围,本实用新型的描述包括附加的特异性和细节。
图1是麦克风组件的截面图。
图2是音频电路的示意图。
图3是电荷泵级的示例的示意图。
图4是低通滤波器电路的示例的示意图。
图5是静电放电电路的示例的示意图。
图6是包括深沟槽隔离(DTI)的第一晶体管工艺的侧剖视图。
图7是来自图6的基板的俯视图。
图8是图6的包括来自图3的电荷泵级的多个晶体管的基板的俯视图。
图9是包括DTI和埋设绝缘层的晶体管工艺的侧剖视图。
图10是包括DTI和埋设阱的晶体管工艺的侧剖视图。
图11是包括共享DTI的晶体管工艺的侧剖视图。
图12是包括共享DTI的晶体管工艺的基板的俯视图。
图13是在DTI环内包括多个阱的晶体管工艺的侧剖视图。
图14是在DTI环内包括多个阱的晶体管工艺的基板的俯视图。
具体实施方式
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