[实用新型]碳化硅外延片的反应室及其排气装置和半导体设备有效
| 申请号： | 202023086331.1 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN213781995U | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 周长健;吴从俊 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 反应 及其 排气装置 半导体设备 | ||
1.一种反应室的排气装置，其中，所述反应室包括腔体，所述排气装置位于所述腔体的一侧，用于将冗余气体排出所述腔体；其特征在于，所述排气装置包括：
排气口，设置在所述腔体的一侧；及
均流装置，包括：
基座，安装在所述排气口上，所述基座为中空结构且所述基座与所述排气口连通；及
均流层，安装在所述基座上，所述均流层上设有多个排气孔。
2.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述排气孔分散设置在所述均流层上。
3.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述排气孔的直径大于5毫米，且所述排气孔的直径小于所述排气口直径的二分之一。
4.根据权利要求3所述的排气装置，其特征在于，单层所述均流层上的所述排气孔的总面积大于所述排气口的横截面积。
5.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述均流层包括：
第一均流层，安装在所述基座上；
第二均流层，安装在所述第一均流层上。
6.根据权利要求5所述的排气装置，其特征在于，所述第一均流层与所述第二均流层之间设有间隙，所述间隙为气体扩散空间。
7.根据权利要求5所述的排气装置，其特征在于，所述第一均流层上的排气孔与所述第二均流层上的排气孔为非对称设置。
8.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述均流装置通过所述基座与所述排气孔连接，所述基座的底部形状对应于所述排气孔的形状。
9.一种碳化硅外延片的反应室，其特征在于，包含权利要求1～8任一所述的排气装置。
10.一种半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包含权利要求9所述的反应室。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
