[实用新型]碳化硅外延片的反应室及其排气装置和半导体设备

说明书

本实用新型提供一种反应室的排气装置，其中，所述反应室包括腔体，所述排气装置位于所述腔体的一侧，用于将冗余气体排出所述腔体；所述排气装置包括排气口及设置在所述排气口上的均流装置，所述排气口设置在所述腔体一侧，所述均流装置包括基座和均流层，所述基座安装在所述排气口上，且所述基座为中空结构：所述均流层安装在所述基座上，所述均流层上设有多个排气孔。本实用新型结构简单，可实现腔体内各个方向气流更加均匀。本实用新型还提供一种包含上述排气装置的碳化硅外延片的反应室及包含上述反应室的半导体设备。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种碳化硅外延片的反应室及其排气装置和半导体设备。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，以下简称CVD)工艺是一种利用不同气体在高温条件下相互反应来制备外延薄膜的方法。气体在反应室内的流速影响着外烟薄膜的质量。

CVD设备中安装有排气装置，而排气装置的抽气速率影响反应室内的气体的流速。目前，在晶圆的外延生长技术中，水平气流生长成为主要的生长模式之一，所谓的水平气流即在生长过程中，气体从进气装置进入反应腔室，在排气装置的作用下气体沿着水平方向采用单一直抽方式直接排放到尾端。这种排气设计易导致腔体内不同方向的气体抽速不同，造成流过产品表面的气体量不同，使生长的产品各部位产生差异。而且随着生长炉数的增多，腔壁上涂层(Coatting)越厚，对气体的粘滞力增强，更加剧流速差异，导致产品在生长时，质量出现波动，影响产品的一致性。

实用新型内容

针对现有技术中的不足与缺陷，本实用新型提供一种碳化硅外延片的反应室及其排气装置和半导体设备，用于解决水平气流外延生长晶圆时由于气流不均匀造成产品各部位的生长不一致的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种反应室的排气装置，其中，所述反应室包括腔体，所述排气装置位于所述腔体的一侧，用于将冗余气体排出所述腔体；所述排气装置包括：

排气口，设置在所述腔体的一侧；及

均流装置，安装在所述排气口上，所述均流装置包括：

基座，安装在所述排气口上，所述基座为中空结构且所述基座与所述排气口连通；及

均流层，安装在所述基座上，所述均流层上设有多个排气孔。

于本实用新型的一实施例中，所述排气孔分散设置在所述均流层上。

于本实用新型的一实施例中，所述排气孔的直径大于5毫米，且所述排气孔的直径小于所述排气口直径的二分之一。

于本实用新型的一实施例中，单层所述均流层上的所述排气孔的总面积大于所述排气口的横截面积。

于本实用新型的一实施例中，所述均流层包括第一均流层和第二均流层，所述第一均流层安装在所述底座上；所述第二均流层安装在所述第一均流层上。

于本实用新型的一实施例中，所述第一均流层与所述第二均流层之间设有间隙，所述间隙为气流扩散空间。

于本实用新型的一实施例中，所述第一均流层上的排气孔与所述第二均流层上的排气孔为非对称设置。

于本实用新型的一实施例中，所述均流装置通过所述基座与所述排气孔连接，所述基座的底部形状对应于所述排气孔的形状。

本实用新型的第二个方面是提供一种碳化硅外延片的反应室，所述反应室包含上述排气装置。

本实用新型的第三个方面是提供一种半导体设备，所述半导体设备包含上述反应室。