[实用新型]一种半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 202023090657.1 申请日: 2020-12-18
公开(公告)号: CN213752697U 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 王大华;郭以杰 申请(专利权)人: 江苏中科智芯集成科技有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/48;H01L23/528
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 薛异荣
地址: 221000 江苏省徐州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:

互联结构层,所述互联结构层包括绝缘介质层和位于所述绝缘介质层中的第一导电层;

设置于所述互联结构层一侧的第一芯片,所述第一芯片的正面朝向互联结构层且与所述第一导电层电性连接;

第二芯片,所述第二芯片位于所述绝缘介质层中且与第一导电层间隔,第二芯片至第一芯片的距离大于第一导电层至第一芯片的距离,所述第二芯片与所述第一导电层电性连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括:

绝缘包覆层,所述绝缘包覆层包覆所述第一芯片的正面和侧部,所述绝缘包覆层与所述互联结构层朝向所述第一芯片一侧的表面接触。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述第一芯片的正面设置有多个芯片凸点,所述第一芯片的正面通过所述多个芯片凸点与所述第一导电层电性连接;所述绝缘包覆层还包覆所述芯片凸点的侧部。

4.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述绝缘介质层包括:第一绝缘介质膜,所述第一绝缘介质膜贴合所述绝缘包覆层,所述第一绝缘介质膜中具有贯穿所述第一绝缘介质膜的第一开口,所述第一开口朝向所述第一芯片;

所述第一导电层包括第一导电部和第二导电部,第一导电部位于所述第一开口中,所述第二导电部位于第一导电部背向所述第一芯片一侧的表面且延伸至部分第一绝缘介质膜的表面;

所述绝缘介质层还包括第二绝缘介质膜,所述第二绝缘介质膜覆盖所述第一绝缘介质膜背向所述第一芯片一侧的表面以及所述第二导电部;

所述第二芯片贴装于所述第二绝缘介质膜背向所述第一芯片一侧的表面。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述第二绝缘介质膜背向所述第二导电部一侧设置有多个第二开口;

所述第二芯片位于相邻的第二开口之间。

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述第二芯片与相邻的所述第二开口之间的间距为200μm~300μm。

7.根据权利要求5所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述第二芯片的背面朝向所述第一芯片的正面,所述第二芯片的正面通过多条键合线分别连接所述第二开口底部的第一导电层。

8.根据权利要求4或5所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述第二绝缘介质膜背向所述第二导电部一侧设置有多个第三开口,所述第三开口中分别设置有导电柱;

所述第二芯片的正面朝向所述第一芯片的正面,所述第二芯片的正面通过所述导电柱连接所述第一导电层。

9.根据权利要求5所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括:

多个焊球,所述焊球部分位于所述第二开口中,所述焊球与所述第一导电层接触。

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述绝缘介质层还包括:第三绝缘介质膜,第三绝缘介质膜背向所述第一芯片的表面为所述绝缘介质层的外表面,所述第三绝缘介质膜覆盖第二绝缘介质膜背向所述第一芯片一侧的表面,且所述第三绝缘介质膜还覆盖所述第二芯片和部分焊球表面;所述焊球背向所述第一芯片的顶点凸出于所述第三绝缘介质膜。

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