[实用新型]一种半导体封装结构

说明书

本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：互联结构层，互联结构层包括绝缘介质层和位于绝缘介质层中的第一导电层；设置于互联结构层一侧的第一芯片，第一芯片的正面朝向互联结构层且与第一导电层电性连接；第二芯片，第二芯片位于绝缘介质层中且与第一导电层间隔，第二芯片至第一芯片的距离大于第一导电层至第一芯片的距离，第二芯片与第一导电层电性连接。通过将第二芯片设置于第一芯片正面的互联结构层中，利用互联结构层中较第一导电层更远的空间放置第二芯片，实现了多芯片的立体堆叠，并且不影响第一导电层的线路设置，可有效节省器件排布的设计空间，有利于提高封装结构中的器件集成度。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成封装技术领域，具体涉及一种半导体封装结构。

背景技术

随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。而集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求。因此如何提高封装结构中器件的集成度是本领域的重要课题。

实用新型内容

因此，本实用新型提供一种半导体封装结构，以提高封装结构中器件的集成度。

本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：互联结构层，互联结构层包括绝缘介质层和位于绝缘介质层中的第一导电层；设置于互联结构层一侧的第一芯片，第一芯片的正面朝向互联结构层且与第一导电层电性连接；第二芯片，第二芯片位于绝缘介质层中且第一导电层间隔，第二芯片至第一芯片的距离大于第一导电层至第一芯片的距离，第二芯片与第一导电层电性连接。

可选的，半导体封装结构还包括：绝缘包覆层，绝缘包覆层包覆第一芯片的正面和侧部，绝缘包覆层与互联结构层朝向第一芯片一侧的表面接触。

可选的，第一芯片的正面设置有多个芯片凸点，第一芯片的正面通过多个芯片凸点与第一导电层电性连接；绝缘包覆层还包覆芯片凸点的侧部。

可选的，绝缘介质层包括：第一绝缘介质膜，第一绝缘介质膜贴合绝缘包覆层，第一绝缘介质膜中具有贯穿第一绝缘介质膜的第一开口，第一开口朝向第一芯片；第一导电层包括第一导电部和第二导电部，第一导电部位于第一开口中，第二导电部位于第一导电部背向第一芯片一侧的表面且延伸至部分第一绝缘介质膜的表面；第二绝缘介质膜，第二绝缘介质膜覆盖第一绝缘介质膜背向第一芯片一侧的表面以及第二导电部；第二芯片贴装于第二绝缘介质膜背向第一芯片一侧的表面。

可选的，第二绝缘介质膜背向第二导电部一侧设置有多个第二开口；第二芯片位于相邻的第二开口之间。

可选的，第二芯片相邻与第二开口之间的间距为200μm～300μm。

可选的，第二芯片的背面朝向第一芯片的正面，第二芯片的正面通过多条键合线分别连接第二开口底部的第一导电层。

可选的，第二绝缘介质膜背向第二导电部一侧设置有多个第三开口，第三开口中分别设置有导电柱；第二芯片的正面朝向第一芯片的正面，第二芯片的正面通过导电柱连接第一导电层。

可选的，半导体封装结构还包括：多个焊球，焊球部分位于第二开口中，焊球与第一导电层接触。

可选的，绝缘介质层还包括：第三绝缘介质膜，第三绝缘介质膜背向第一芯片的表面为绝缘介质层的外表面，第三绝缘介质膜覆盖第二绝缘介质膜背向第一芯片一侧的表面，且第三绝缘介质膜还覆盖第二芯片和部分焊球表面；焊球背向第一芯片的顶点凸出于第三绝缘介质膜。

本实用新型的技术方案，具有如下优点：