[实用新型]一种双向镀膜磁控溅射装置

说明书

本实用新型提供一种双向镀膜磁控溅射装置，其可以提高镜像靶磁控溅射方法镀膜效率，同时提升有效产能。其包括：放置基材承载装置的成像位置、相对镜像设置的第一镜像阴极靶材、第二镜像阴极靶材，所述成像位置设置在所述第一镜像阴极靶材、所述第二镜像阴极靶材之间溅射粒子的运动路径上；其特征在于：在所述第一镜像阴极靶材、所述第二镜像阴极靶材之间的所述溅射粒子运动的两个方向都分别设置所述成像位置。

技术领域

本实用新型涉及真空气象沉积镀膜设备技术领域，具体为一种双向镀膜磁控溅射装置。

背景技术

镜像靶磁控溅射是一种先进的真空沉积技术，因为其可进行低温镀膜，对沉底的离子轰击弱，成膜质量优异，使其在处理敏感材料镀膜上有着巨大的优势，尤其在有机半导体、钙钛矿等产业发挥着重要，甚至是核心的作用。如图1所示，在溅射腔室中，第一镜像阴极靶材1、第二镜像阴极靶材2成镜像设置，一侧设置放置基材的基材承载盘3，另一侧是溅射腔室的腔体壁4；靶源（图中未标出）轰击在第一镜像阴极靶材1、第二镜像阴极靶材2相对设置的靶面上，靶材发生溅射，溅射粒子沿第一镜像阴极靶材1、第二镜像阴极靶材2的开口方向运动，飞向在设置在靶材一侧的基材承载盘3上的基材，沉底成膜。然而现有技术中的镜像靶磁控溅射方法，通常只是单向镀膜，普遍存在镀膜速度慢、效率低的问题，使其在工业领域推广过程中受到限制。

发明内容

为了解决现有技术中的镜像靶磁控溅射方法镀膜速度慢、效率低的问题，本实用新型提供一种双向镀膜磁控溅射装置，其可以提高镜像靶磁控溅射方法镀膜效率，同时提升有效产能。

本实用新型的技术方案是这样的：一种双向镀膜磁控溅射装置，其包括：放置基材承载装置的成像位置、相对镜像设置的第一镜像阴极靶材、第二镜像阴极靶材，所述成像位置设置在所述第一镜像阴极靶材、所述第二镜像阴极靶材之间溅射粒子的运动路径上；其特征在于：

在所述第一镜像阴极靶材、所述第二镜像阴极靶材之间的所述溅射粒子运动的两个方向都分别设置所述成像位置。

其进一步特征在于：

两个所述成像位置分别设置在所述第一镜像阴极靶材、所述第二镜像阴极靶材的上方、下方；

两个所述成像位置分别设置在所述第一镜像阴极靶材、所述第二镜像阴极靶材的水平横向侧面；

放置在两个所述成像位置上的所述基材承载装置镜像对称设置。

本实用新型提供的一种双向镀膜磁控溅射装置，在第一镜像阴极靶材、第二镜像阴极靶材之间的溅射粒子运动的两个方向上，都分别设置成像位置，基于本实用新型的镀膜设备，可以同时在两个方向对两个基材进行镀膜；本实用新型技术方案中，不仅原来沉积在腔体壁上被浪费掉材料可以被利用起来形成有效产能，同时将设备产能也变成原来的2倍，极大的提高了镀膜效率。

附图说明

图1为现有技术中的单向镀膜磁控溅射设备的结构示意图；

图2为本专利双向镀膜磁控溅射设备的结构示意图。

具体实施方式

如图2所示，本实用新型一种双向镀膜磁控溅射装置，其包括：设置在溅射腔室中的相对镜像设置的第一镜像阴极靶材1、第二镜像阴极靶材2；在第一镜像阴极靶材1、第二镜像阴极靶材2之间的溅射粒子运动的两个方向都分别设置成像位置：第一成像位置5、第二成像位置6。基材承载装置3分别被运输装置输送到两个成像位置后，放置在第一成像位置5、第二成像位置6上的基材承载装置3镜像对称设置。

本实用新型的技术方案适用于卧式与立式的磁控溅射装置，即，两个第一成像位置5、第二成像位置6分别设置在第一镜像阴极靶材1、第二镜像阴极靶材2的上方、下方，或者分别设置在第一镜像阴极靶材1、第二镜像阴极靶材2的水平横向侧面，具体位置根据磁控溅射装置具体结构设置。

基于上述双向镀膜磁控溅射装置实现的镀膜方法，其包括以下步骤：