[实用新型]高频模块和通信装置有效
申请号: | 202023111329.5 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN214069922U | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 吉田大介 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 模块 通信 装置 | ||
1.一种高频模块,其特征在于,具备:
模块基板,其具有彼此相向的第一主面和第二主面;
半导体集成电路,其具有彼此相向的第三主面和第四主面;以及
外部连接端子,其配置于所述第二主面,
其中,所述第三主面被配置成与所述第二主面相向且比所述第四主面更靠近所述第二主面,
所述半导体集成电路具有:
控制电路、低噪声放大器以及开关中的至少一个,所述控制电路利用控制信号来控制高频部件,所述低噪声放大器放大接收信号;以及
信号电极,其形成于所述第四主面,向所述半导体集成电路输入或从所述半导体集成电路输出高频信号和所述控制信号中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
所述半导体集成电路还具有形成于所述第四主面的地电极。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块,其特征在于,
所述信号电极与形成于所述半导体集成电路的内部的通路导体连接。
4.根据权利要求1或2所述的高频模块,其特征在于,
所述信号电极与形成于所述半导体集成电路的侧面的侧面电极连接。
5.根据权利要求1或2所述的高频模块,其特征在于,
所述半导体集成电路包括所述低噪声放大器,
所述低噪声放大器的输出端子与所述高频模块的接收输出端子连接,
所述信号电极是所述接收输出端子。
6.根据权利要求1或2所述的高频模块,其特征在于,
所述半导体集成电路包括所述开关,
所述开关具有公共端子和多个选择端子,所述公共端子与天线连接端子连接,所述开关对所述公共端子与所述多个选择端子的连接进行切换,
所述信号电极是所述天线连接端子。
7.根据权利要求1或2所述的高频模块,其特征在于,
所述半导体集成电路包括所述控制电路,
所述控制电路具有输入端子和输出端子,基于从所述输入端子输入的第一控制信号来从所述输出端子向所述高频部件输出第二控制信号,
所述信号电极是所述控制电路的所述输入端子。
8.根据权利要求7所述的高频模块,其特征在于,
还具备功率放大器,所述功率放大器配置于所述第一主面,放大发送信号,
所述控制电路从所述输出端子向所述功率放大器输出所述第二控制信号。
9.根据权利要求8所述的高频模块,其特征在于,
还具备第一阻抗匹配电路,所述第一阻抗匹配电路与所述功率放大器的输出端子连接,包括电感器和电容器中的至少一个,
所述控制电路配置于所述第二主面,
所述第一阻抗匹配电路配置于所述第一主面,
在俯视所述模块基板的情况下,所述控制电路与所述第一阻抗匹配电路至少有一部分重叠,且所述功率放大器与所述第一阻抗匹配电路相邻。
10.根据权利要求1或2所述的高频模块,其特征在于,还具备:
第二阻抗匹配电路,其与所述低噪声放大器的输入端子连接,包括电感器和电容器中的至少一个;以及
滤波器,其连接于所述开关与所述第二阻抗匹配电路之间,使所述接收信号通过,
所述开关连接于天线连接端子与所述滤波器之间,
所述低噪声放大器和所述开关配置于所述第二主面,
所述第二阻抗匹配电路和所述滤波器配置于所述第一主面,
在俯视所述模块基板的情况下,所述低噪声放大器与所述第二阻抗匹配电路至少有一部分重叠,且所述开关与所述滤波器至少有一部分重叠。
11.一种通信装置,其特征在于,具备:
天线;
射频信号处理电路,其对利用所述天线发送接收的高频信号进行处理;以及
根据权利要求1~10中的任一项所述的高频模块,其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。
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