[实用新型]一种半导体外延结构及其应用

说明书

本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，所述半导体外延结构包括基板；第一氮化铝层，形成于所述基板上；第一氮化镓层，形成于所述氮化铝层上；第二氮化铝层，形成于所述第一氮化镓层上；以及第二氮化镓层，形成于所述第二氮化铝层上。通过本实用新型提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。

本专利是专利号为2020220774063，申请日为2020年9月21日，发明名称为“一种半导体外延结构及其应用”的分案申请。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，特别涉及一种半导体外延结构及其应用。

背景技术

由于第三代半导体材料，例如氮化镓或碳化硅，具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点，从而可以作为半导体材料，而获得半导体外延结构。

但是在第三代半导体材料，例如氮化镓作为半导体外延结构时，仍具有多种问题，例如耐压性能底问题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，以降低氮化镓与硅之间的晶格失配，提高所述半导体外延结构的质量。

为实现上述目的及其他目的，本实用新型提出一种半导体外延结构，该半导体外延结构包括：

基板；

第一氮化铝层，形成于所述基板上；

第一氮化镓层，形成于所述氮化铝层上；

第二氮化铝层，形成于所述第一氮化镓层上；以及

第二氮化镓层，形成于所述第二氮化铝层上。

在本实用新型一实施例中，所述半导体外延结构还包多个氮化铝夹层，其间隔设置于所述第一氮化镓层或所述第二氮化镓层内部。

本实用新型还提供一种半导体器件，其包括所述半导体外延结构。

本实用新型还提供一种电子装置，其包括所述半导体器件。

本实用新型还提供一种发光二极管结构，其包括所述半导体外延结构。

本实用新型还提供一种微型发光二极管芯片，其包括所述发光二极管结构。

本实用新型还提供一种微发光二极管面板，其包括所述发光二极管结构。

综上所述，本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，可以获得高质量的外延结构，可以提高耐压具有较高的耐压性能，提高所述半导体外延结构的质量。

附图说明

图1：本实施例提出的生长腔体的简要示意图。

图2：本实施例中基座的另一简要示意图。

图3：本实施例中基座的背面示意图。

图4：本实施例中加热器的简要示意图。

图5：本实施例中加热器另一简要示意图。

图6：本实施例中测温装置的简要示意图。

图7：本实施例中磁体的简要示意图。

图8至图9：本实施例中磁体的另一简要示意图。

图10：本实施例中反射板的简要示意图。

图11：本实施例中卡箍的简要示意图。

图12：本实施例中冷却装置的简要示意图。

图13：本实施例中进气口的简要示意图。

图14：本实施例中进气管道的简要示意图。