[实用新型]ESD保护电路

权利要求书

1.一种ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护电路包括：

ESD检测单元，电性连接于第一端和第二端之间，第一端为输入端，用于检测第一端和第二端之间是否触发ESD事件并产生驱动信号；

ESD泄放单元，所述ESD泄放单元包括与第一端、第二端及ESD检测单元电性连接的第一MOS管，所述第一MOS管为耐负压的PMOS管，当ESD检测单元检测到触发ESD事件时，ESD检测单元产生的驱动信号驱动PMOS管导通，以使ESD通过PMOS管进行泄放。

2.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第一MOS管的栅极与ESD检测单元相连，漏极与第一端相连，源极与第二端相连。

3.根据权利要求2所述的ESD保护电路，其特征在于，所述ESD泄放单元还包括与第一MOS管串联的二极管，二极管的正极与第一MOS管的漏极相连，负极与第一端相连。

4.根据权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第一端的输入为负向电压或正向电压。

5.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第二端接地。

6.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述ESD检测单元包括串联于第一端和第二端之间的电阻及电容。

7.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护电路还包括电性连接于ESD检测单元和ESD泄放单元之间的信号放大单元，用于放大ESD检测单元产生的驱动信号。

8.根据权利要求7所述的ESD保护电路，其特征在于，所述信号放大单元包括第二MOS管及第三MOS管，其中，第二MOS管为PMOS管，第三MOS管为NMOS管，第二MOS管和第三MOS管的栅极与ESD检测单元相连，第二MOS管的漏极与第三MOS管的漏极分别与ESD泄放单元相连，第二MOS管的源极与第二端相连，第三MOS管的源极与第一端相连。