[实用新型]ESD保护电路

说明书

本实用新型揭示了一种ESD保护电路，所述ESD保护电路包括：ESD检测单元，电性连接于第一端和第二端之间，第一端为输入端，用于检测第一端和第二端之间是否触发ESD事件并产生驱动信号；ESD泄放单元，所述ESD泄放单元包括与第一端、第二端及ESD检测单元电性连接的第一MOS管，所述第一MOS管为耐负压的PMOS管，当ESD检测单元检测到触发ESD事件时，ESD检测单元产生的驱动信号驱动PMOS管导通，以使ESD通过PMOS管进行泄放。本实用新型中的ESD保护电路利用PMOS管作为ESD的主要泄放器件，使输入端可以输入负向电压；通过二极管的增加，使输入端可以输入正向高压；本实用新型可有效解决低压工艺中的ESD泄放，尤其适用于小线宽低压工艺中有负向耐压要求的输入引脚ESD泄放。

技术领域

本实用新型属于静电保护技术领域，具体涉及一种ESD保护电路。

背景技术

静电放电(electrostatic discharge，ESD)具有高电压、低电量、大电流和放电时间短的特性，在集成电路中产生的ESD可以在很短时间内形成超过几安培的大电流，这样的大电流直接流过导通电流仅为微安或毫安级电子器件，将会给集成电路中的电子器件带来破坏性的后果，这也是造成集成电路芯片失效的主要原因之一。ESD保护电路的设计目的就是要避免待保护的工作电路成为ESD放电通路而遭受不可逆转的破坏。

例如在输入引脚GPI和GND之间通常通过GGMOS器件进行ESD保护，但在低压小线宽工艺中受到工艺限制，GGMOS器件的ESD保护窗口高于低压工艺器件耐压(1.8V或者3.3V)，因此无法解决低压工艺ESD泄放问题。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种ESD保护电路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种ESD保护电路，以解决低压工艺中的ESD泄放问题。

为了实现上述目的，本实用新型一实施例提供的技术方案如下：

一种ESD保护电路，所述ESD保护电路包括：

ESD检测单元，电性连接于第一端和第二端之间，第一端为输入端，用于检测第一端和第二端之间是否触发ESD事件并产生驱动信号；

ESD泄放单元，所述ESD泄放单元包括与第一端、第二端及ESD检测单元电性连接的第一MOS管，所述第一MOS管为耐负压的PMOS管，当ESD检测单元检测到触发ESD事件时，ESD检测单元产生的驱动信号驱动PMOS管导通，以使ESD通过PMOS管进行泄放。

一实施例中，所述第一MOS管的栅极与ESD检测单元相连，漏极与第一端相连，源极与第二端相连。

一实施例中，所述ESD泄放单元还包括与第一MOS管串联的二极管，二极管的正极与第一MOS管的漏极相连，负极与第一端相连。

一实施例中，所述第一端的输入为负向电压或正向电压。

一实施例中，所述第二端接地。

一实施例中，所述ESD检测单元包括串联于第一端和第二端之间的电阻及电容。

一实施例中，所述ESD保护电路还包括电性连接于ESD检测单元和ESD泄放单元之间的信号放大单元，用于放大ESD检测单元产生的驱动信号。

一实施例中，所述信号放大单元包括第二MOS管及第三MOS管，其中，第二MOS管为PMOS管，第三MOS管为NMOS管，第二MOS管和第三MOS管的栅极与ESD检测单元相连，第二MOS管的漏极与第三MOS管的漏极分别与ESD泄放单元相连，第二MOS管的源极与第二端相连，第三MOS管的源极与第一端相连。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：