[实用新型]一种特殊通电形式的热电半导体模块有效

专利信息
申请号: 202023141443.2 申请日: 2020-12-22
公开(公告)号: CN214378495U 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 冯林;吴永庆 申请(专利权)人: 杭州大和热磁电子有限公司
主分类号: H01L35/32 分类号: H01L35/32;H01L35/08;H01L35/10
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 郑汝珍
地址: 310051 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 特殊 通电 形式 热电 半导体 模块
【说明书】:

本实用新型公开了一种特殊通电形式的热电半导体模块,包括上陶瓷基板、若干P/N结颗粒和下陶瓷基板,P/N结颗粒焊接在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间,下陶瓷基板上连接有第一导体,第一导体连接第二导体。本申请主要是在台阶式热电半导体模块焊盘上,焊接一种特殊形状的铜块,通过对特殊形状铜块导电而使热电半导体模块通电工作。本实用新型一种导线很短时容易焊接的特殊通电形式的热电半导体模块。

技术领域

本实用新型涉及制冷模块技术领域,尤其是涉及一种特殊通电形式的热电半导体模块。

背景技术

目前随着互联网快速的发展,对于数据传输速率有很高的要求。目前,通过光模块进行短距离传输达到要求,但光波对温度很敏感,所以在传输过程中需要对光模块进行控温。因此,热电半导体模块需求得到喷发式递增。常规热电半导体模块通电的形式为:焊接导线或长方体铜块两种形式。在一些光模块中,因空间限制导致热电半导体模块导线很短,会增加热电半导体模块制造成本;若是采用长方体通电形式,一、成本会上升;二、热电半导体模块与器件焊接,在经过回流焊中,因长方体重量过重,导体焊接失效。为此,发明了一种特殊通电形式的热电半导体模块。

中国专利公开号CN111952200A,公开日2020年11月17日,发明创造的名称为半导体模块、半导体模块的制造方法以及段差治具,该申请案包括:通过段差治具对鳍片一体式的散热基座施加段差而进行加压固定的步骤、以及在散热基座上焊接半导体组装体的步骤。该申请方案的技术方案在半导体模块的连接方式上,不能使得综合效果达到最好。

发明内容

本实用新型是为了克服现有技术的导线很短时不易焊接的问题,提供一种导线很短时容易焊接的特殊通电形式的热电半导体模块。

为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种特殊通电形式的热电半导体模块,包括上陶瓷基板、若干P/N结颗粒和下陶瓷基板,P/N结颗粒焊接在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间,下陶瓷基板上连接有第一导体,第一导体连接第二导体。本申请主要是在台阶式热电半导体模块焊盘上,焊接一种特殊形状的铜块,通过对特殊形状铜块导电而使热电半导体模块通电工作。

作为优选,所述上陶瓷基板和下陶瓷基板上紧密覆盖有铜片。在上下陶瓷基板表面通过烧结技术覆上铜片,通过焊锡连接把P/N结颗粒固定在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间。

作为优选,所述下陶瓷基板上还设有第三导体,第三导体平放在下陶瓷基板上,第三导体连接第二导体。第三导体和下陶瓷基板的接触面积较大,这样使得焊接面积增加,使得焊接更为牢固。

作为优选,所述第一导体、第二导体和第三导体为铜制导体。铜材料的综合效果最好。

作为优选,所述第三导体靠近下陶瓷基板一侧开有若干容纳槽。在使用焊接材料将第三导体焊接在下陶瓷基板上时,焊接材料可以进入到容纳槽中,这样可以在增加焊接材料和第三导体的接触面积,使得焊接材料与第三导体的连接变得紧密,第三导体会被牢固的焊接在下陶瓷基板上。

作为优选,所述容纳槽呈S状弯曲。容纳槽呈S状弯曲可以增加容纳槽所容纳的焊接材料的体积,使得焊接增加焊接材料和第三导体的接触面积,使得焊接材料与第三导体的连接变得更为紧密,第三导体会被更为牢固的焊接在下陶瓷基板上。

作为优选,所述容纳槽为燕尾槽。容纳槽为燕尾槽可以增加容纳槽所容纳的焊接材料的体积,使得焊接增加焊接材料和第三导体的接触面积,在焊接材料凝固后,更加不能脱离第三导体,保证了焊接材料与第三导体的连接变得更为紧密,第三导体会被更为牢固的焊接在下陶瓷基板上。

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