[实用新型]镀膜设备有效
申请号: | 202023145825.2 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN214115717U | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 黎微明;李翔;吴兴华 | 申请(专利权)人: | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 周昭 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 设备 | ||
本实用新型涉及一种镀膜设备,在进行异质结太阳能电池的镀膜时,第一镀膜机构、第二镀膜机构及第三镀膜机构分别实现I层、p层及n层的镀设。硅片在第一运输组件的带动匀速通过第一镀膜腔体,从而在两面形成I层;接着,基片依次进入第二镀膜腔体及第三镀膜腔体,从而得到p层及n层。在第二镀膜腔体及第三镀膜腔体内,工艺参数可单独进行调整,从而得到所需的窗口层以保证转换效率。由于硅片两侧的I层成分相同,故可以在第一镀膜腔体内同时成型。而且,I层镀膜时的工艺参数保持恒定,故多个硅片可以连续通过第一镀膜腔体,从而实现I层的连续动态的镀膜。因此,第一镀膜腔体的利用率显著提升,故上述镀膜设备的产能的以提高。
技术领域
本实用新型涉及真空镀膜技术领域,特别涉及一种镀膜设备。
背景技术
异质结太阳能电池具有工艺简单、发电量高、度电成本低等优势,是目前太阳能电池领域的热点。异质结太阳能电池的主体结构包括N型硅片、形成于 N型硅片上下两面的I层以及分别形成于两个I层表面的p层及n层。在制备异质结电池时,一般采用真空镀膜的方式在于N型硅片的表面依次形成I层、p 层及n层。
现有的镀膜设备一般是一个I层镀膜腔体搭配一个n层镀膜腔体,另外一个I层镀膜腔体搭配一个p层镀膜腔体。在完成I-n层的镀膜后将硅片移出上一个镀膜腔体,并进行翻面再进入另一个镀膜腔体内完成I-p层的镀膜。
由于在制备异质结电池的窗口层时,需要变化不同的工艺参数,以达到更好的转换效率。因此,在镀膜腔体无法实现连续的动态镀膜。每次镀膜完成后,均需对镀膜腔体抽真空至底压,然后将放置硅片的托盘传出镀膜腔体。可见,在整个镀膜过程中,有相当一部分时间被托盘传输、加热稳定、通工艺气体、压力稳定、抽气等操作所占用,从而导致设备的产能较低。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有真空镀膜设备制备异质结太阳能电池的产能不高的问题,提供一种能够提高异质结太阳能电池产能的镀膜设备。
一种镀膜设备,包括:
第一镀膜机构,包括第一镀膜腔体及第一运输组件,所述第一运输组件可带动基片匀速通过所述第一镀膜腔体,所述第一镀膜腔体用于在所述基片相对的两面镀设第一膜层;
第二镀膜机构,包括第二镀膜腔体及第二运输组件,所述第二运输组件用于带动镀设有所述第一膜层的所述基片进出所述第二镀膜腔体,所述第二镀膜腔体用于在其中一个所述第一膜层上镀设第二膜层;及
第三镀膜机构,包括第三镀膜腔体及第三运输组件,所述第三运输组件用于带动镀设有所述第二膜层的所述基片进出所述第三镀膜腔体,所述第三镀膜腔体用于在另中一个所述第一膜层上镀设第三膜层。
在其中一个实施例中,所述第一镀膜机构还包括分别位于所述第一镀膜腔体两端的载入腔及载出腔,所述第一运输组件可带动所述基片依次通过所述载入腔、所述第一镀膜腔体及所述载出腔。
在其中一个实施例中,所述第一镀膜机构还包括氢处理工艺腔及位于所述氢处理工艺腔与所述第一镀膜腔体之间的隔离件,所述第一运输组件可带动所述基片经所述氢处理工艺腔及所述隔离件,进入所述第一镀膜腔体。
在其中一个实施例中,所述隔离件为第一隔离腔或气帘。
在其中一个实施例中,所述第一运输组件包括用于承载所述基片的第一托盘及带动所述第一托盘循环的第一回传系统,所述第一托盘的中部镂空,以暴露所述基片相对的两个表面。
在其中一个实施例中,所述第二运输组件包括用于承载所述基片的第二托盘及带动所述第二托盘进出所述第二镀膜腔体的第二回传系统;
所述第三运输组件包括用于承载所述基片的第三托盘及带动所述第三托盘进出所述第三镀膜腔体的第三回传系统,所述第二托盘及所述第三托盘均为板状结构,以覆盖所述基片的其中一个表面。
在其中一个实施例中,还包括:
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