[实用新型]一种TFT膜层防静电结构

权利要求书

1.一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，其特征在于：

所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；

相邻金属层的跨接位置形成有跨接阶梯，所述第二金属层在跨接阶梯位置加宽设置。

2.根据权利要求1所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：具体的，所述第一金属层与第二金属层之间设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层形成于第一金属层之上，所述第二金属层形成第一绝缘层上方。

3.根据权利要求2所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：在金属层平行叠放位置，所述第一绝缘层上方形成有第一透明金属。

4.根据权利要求3所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：在金属层平行叠放位置，所述第一透明金属的上方形成有硅岛，所述第二金属层位于硅岛上方，其底面与所述硅岛接触设置。

5.根据权利要求3所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：在金属层平行叠放位置，所述第二金属层的上方还形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层的上方形成有第二透明金属。

6.根据权利要求5所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：金属层跨接位置的各个膜层与金属层平行叠放位置的各个膜层同步铺设、蚀刻。