[实用新型]一种TFT膜层防静电结构

说明书

本实用新型提出了一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；相邻金属层的跨接位置形成有跨接阶梯，所述第二金属层在跨接阶梯位置加宽设置；区别于传统的上层金属在跨接位置窄小尖锐、容易形成放电尖端击穿产品的结构，本实用新型通过将跨接阶梯位置的第二金属层加宽，增加相邻金属层在跨接位置交叠面积以降低压差，有效避免尖端放电损伤产品，结构简单，制程简便，可进一步提高TFT膜层产品良率，保证产品质量。

技术领域

本实用新型涉及显示屏防静电结构领域，尤其涉及一种TFT膜层防静电结构。

背景技术

传统TFT膜层结构，相邻金属层的位置关系不仅仅局限于常见的平行叠放，根据实际的布线需要，相邻金属层不可避免的会存在跨接交叠，跨接交叠位置会形成跨接阶梯结构，一方面，上层金属在跨接阶梯位置成膜环境比平坦处更加复杂，成膜难度大，成膜质量没有平坦处膜质好，加之跨接位置相邻金属层间隔较小，造成该位置产生静电概率较高；

另一方面，上层金属在跨接阶梯位置整体宽度较窄，与下层金属的交叠面积极小，导致在此位置电容较小，结合ΔU=Q/C（其中ΔU为两金属层的压差、Q为电荷、C为电容）可知，在电荷Q不变情况下，相邻金属交叠面积越小，压差ΔU越大，越容易形成放电尖端造成产品损伤，TFT膜层的质量无法的得到保证，因此急需一种能够在跨接阶梯位置保证TFT膜层质量的防静电结构。

实用新型内容

为解决上述相邻金属层跨接阶梯位置上层金属层窄小，容易造成尖端放电击穿产品的问题，本实用新型提出了一种TFT膜层防静电结构，通过加宽上层金属降低压差，来解决尖端放电造成TFT膜层损伤的问题。

一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；

相邻金属层的跨接位置形成有跨接阶梯，所述第二金属层在跨接阶梯位置加宽设置，避免在跨接阶梯位置形成放电尖端积聚静电击穿产品，保证产品质量。

作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，具体的，所述第一金属层与第二金属层之间设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层形成于第一金属层之上，所述第二金属层形成第一绝缘层上方。

作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，在金属层平行叠放位置，所述第一绝缘层上方形成有第一透明金属。

作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，在金属层平行叠放位置，所述第一透明金属的上方形成有硅岛，所述第二金属层位于硅岛上方，其底面与所述硅岛接触设置，有效降低膜层阻抗，保证产品显示效果。

作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，在金属层平行叠放位置，所述第二金属层的上方还形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层的上方形成有第二透明金属。

作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，金属层跨接位置的各个膜层与金属层平行叠放位置的各个膜层同步进行铺设、蚀刻，制程简便，无需增加新的工艺步骤，保证产品生产效率，有效控制产品生产成本。

有益效果

本实用新型所描述的一种TFT膜层防静电结构，通过将跨接阶梯位置的第二金属层加宽，增加相邻金属层在跨接位置交叠面积以降低压差，避免膜层在跨接位置形成放电尖端，防止静电积聚，有效避免尖端放电损伤产品，结构简单，制程简便，可进一步提高TFT膜层产品良率，保证产品质量。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定，在附图中：

图1为本实用新型优选实施方式金属层跨接位置俯视图；