[实用新型]一种薄膜晶体管结构

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括第一栅极、漏极、第一源极、栅极绝缘层、第一有源层、蚀刻阻挡层、第一像素电极、第二像素电极和第一遮光层；

所述第一栅极、所述漏极和所述第一源极同层设置，所述漏极设置在所述第一栅极的一侧，所述漏极设置在所述第一栅极的另一侧；

所述栅极绝缘层设置在所述第一栅极、所述漏极和所述第一源极上；

所述第一有源层设置在所述栅极绝缘层上，所述第一有源层位于第一栅极的上方；

所述蚀刻阻挡层设置在所述第一有源层和所述栅极绝缘层上，蚀刻阻挡层上设置有第一孔和第二孔，所述第一孔的孔底为第一源极，所述第二孔的孔底为漏极；

所述第一遮光层、所述第一像素电极和所述第二像素电极均设置在所述蚀刻阻挡层上，所述第一像素电极通过第一孔连接第一源极，所述第二像素电极通过第二孔连接漏极，所述第一遮光层位于第一有源层的上方，所述第一遮光层位于第一像素电极和第二像素电极之间，所述第一遮光层用于遮挡光线照射第一有源层。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，驱动薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述第一遮光层和蚀刻阻挡层上，缓冲层上设置有第四孔和第五孔，第四孔和第一孔相连通，所述第四孔中设置有所述第一像素电极，第五孔和第二孔相连通，所述第五孔中设置有第二像素电极。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，还包括开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二有源层、第三像素电极和第二遮光层；

所述第二栅极设置在所述第二源极的一侧，所述第二栅极、所述第二源极和所述第一栅极也为同层设置；

所述栅极绝缘层也设置在所述第二栅极和所述第二源极上；

所述第二有源层设置在所述栅极绝缘层上，所述第二有源层位于第二栅极的上方；

所述蚀刻阻挡层也设置在所述第二有源层上，所述蚀刻阻挡层上还设置有第三孔，所述第三孔的孔底为第二源极；

所述第二遮光层设置在所述蚀刻阻挡层上，所述第二遮光层位于第三孔的一侧，并位于第二源极的上方；

所述第三像素电极设置在所述蚀刻阻挡层上，所述第三像素电极通过第三孔连接第二源极，所述第三像素电极连接第二遮光层。

4.根据权利要求3所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第三像素电极贯穿所述第二遮光层。

5.根据权利要求3所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述开关薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述第二遮光层和蚀刻阻挡层上，所述缓冲层上设置有第六孔，所述第六孔和所述第三孔连通，所述第六孔中设置有第三像素电极。

6.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一像素电极的投影、所述遮光层的投影和所述第二像素电极的投影的总和是覆盖所述有源层的投影，投影的方向是垂直于有源层的顶部。

7.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，还包括基板，所述基板上设置有第一栅极、漏极和第一源极。

8.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一有源层包括第一导体化结构和第二导体化结构，所述第一像素电极连接所述第一导体化结构，所述第二像素电极连接所述第二导体化结构。

9.根据权利要求1至8任意一项所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述薄膜晶体管结构设置在OLED显示装置上。