[实用新型]一种薄膜晶体管结构

说明书

本实用新型公布一种薄膜晶体管结构，包括驱动薄膜晶体管，驱动薄膜晶体管包括第一栅极、漏极、第一源极、栅极绝缘层、第一有源层、蚀刻阻挡层、第一像素电极、第二像素电极和第一遮光层；第一栅极、漏极和第一源极同层设置；栅极绝缘层设置在第一栅极、漏极和第一源极上；第一有源层设置在栅极绝缘层上；蚀刻阻挡层设置在第一有源层和栅极绝缘层上，蚀刻阻挡层上设置有第一孔和第二孔；第一像素电极通过第一孔连接第一源极，第二像素电极通过第二孔连接漏极，第一遮光层用于遮挡光线照射第一有源层。上述技术方案第一遮光层避免光线对有源层的侵害，保证薄膜晶体管的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管结构。

背景技术

目前随着显示技术的发展，OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示装置具备自发光特性，低功耗，宽视角，响应速度快，超轻期薄，抗震性好，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。薄膜晶体管(thin film transistor,缩写TFT)作为OLED显示装置中的主要开关元件，薄膜晶体管的性能好坏直接关系到OLED显示装置的发展。

薄膜晶体管结构具有多种不同结构，其中基于的刻蚀阻挡型金属氧化物TFT有刻蚀阻挡层(ESL)的保护，因而呈现出较好的稳定性。虽然刻蚀阻挡型的薄膜晶体管可以避免了源/漏极的背沟道刻蚀对有源层的损伤，但是依然具有如下问题：

第一，有源层对光线很敏感，薄膜晶体管的阈值电压Vth会发生偏移，进而影响到薄膜晶体管的电子迁移率。

第二，由于栅极与源极、漏极之间的重叠面积大，容易产生较大的寄生电容，具有较高的信号延迟率。

第三，使用的光罩(Mask)较多，使得工艺步骤复杂。

实用新型内容

为此，需要提供一种薄膜晶体管结构，解决薄膜晶体管的有源层受光照的影响，导致薄膜晶体管不稳定，并且薄膜晶体管中的寄生电容较大的问题。

为实现上述目的，本实施例提供了一种薄膜晶体管结构，包括驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括第一栅极、漏极、第一源极、栅极绝缘层、第一有源层、蚀刻阻挡层、第一像素电极、第二像素电极和第一遮光层；

所述第一栅极、所述漏极和所述第一源极同层设置，所述漏极设置在所述第一栅极的一侧，所述漏极设置在所述第一栅极的另一侧；

所述栅极绝缘层设置在所述第一栅极、所述漏极和所述第一源极上；

所述第一有源层设置在所述栅极绝缘层上，所述第一有源层位于第一栅极的上方；

所述蚀刻阻挡层设置在所述第一有源层和所述栅极绝缘层上，蚀刻阻挡层上设置有第一孔和第二孔，所述第一孔的孔底为第一源极，所述第二孔的孔底为漏极；

所述第一遮光层、所述第一像素电极和所述第二像素电极均设置在所述蚀刻阻挡层上，所述第一像素电极通过第一孔连接第一源极，所述第二像素电极通过第二孔连接漏极，所述第一遮光层位于第一有源层的上方，所述第一遮光层位于第一像素电极和第二像素电极之间，所述第一遮光层用于遮挡光线照射第一有源层。

进一步地，驱动薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述第一遮光层和蚀刻阻挡层上，缓冲层上设置有第四孔和第五孔，第四孔和第一孔相连通，所述第四孔中设置有所述第一像素电极，第五孔和第二孔相连通，所述第五孔中设置有第二像素电极。

进一步地，还包括开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二有源层、第三像素电极和第二遮光层；

所述第二栅极设置在所述第二源极的一侧，所述第二栅极、所述第二源极和所述第一栅极也为同层设置；

所述栅极绝缘层也设置在所述第二栅极和所述第二源极上；