[实用新型]一种TFT膜层防静电结构

权利要求书

1.一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，其特征在于：

所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；

所述第一金属层在与第二金属层的跨接位置至少断开为上段、中段、下段；

所述第二金属层匹配第一金属层分段结构设置有小块金属，所述小块金属跨接于第一金属层的中段之上，其两端分别搭接于第一金属层的上段与下段。

2.根据权利要求1所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：具体的，所述第一金属层与第二金属层之间设置有第一绝缘层，所述第二金属层设置于第一绝缘层上方，所述第一绝缘层形成于第一金属层之上。

3.根据权利要求1所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：所述小块金属与第一金属层之间同样设置有第一绝缘层，所述小块金属形成于第一绝缘层之上。

4.根据权利要求3所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：所述第一绝缘层在小块金属与第一金属层上段、下段的搭接位置还设置有过孔，所述小块金属延伸至过孔内设置。

5.根据权利要求1所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：所述第二金属层在跨接位置设置为左段、右段，其左段、右段分别搭接于第一金属层中段的两端。

6.根据权利要求5所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：第一绝缘层在第二金属层的左段、右段与第一金属层中段的搭接位置设置有过孔，所述第二金属层延伸至所述过孔内设置。

7.根据权利要求1所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：所述第一金属层的中段向左右两侧延伸，宽于其上段、下段设置。