[实用新型]一种TFT膜层防静电结构

说明书

本实用新型公开了一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；所述第一金属层在与第二金属层的跨接位置至少断开为上段、中段、下段；所述第二金属层匹配第一金属层分段结构设置有小块金属，所述小块金属跨接于第一金属层的中段之上，其两端分别搭接于第一金属层的上段与下段；以上结构将相邻金属层原跨接位置的大片金属断开设置，并使用小块金属跨接，有效避免了因大块金属跨接造成的静电累积，可有效降低产品被静电击伤的概率。

技术领域

本实用新型涉及显示屏防静电结构领域，尤其涉及一种TFT膜层防静电结构。

背景技术

传统TFT膜层结构，相邻金属层的位置关系不仅仅局限于常见的平行叠放，根据实际的布线需要，相邻金属层不可避免的会存在跨接交叠，而相邻金属层通常为大片金属，容易积累静电，大大增加了产品被静电击穿概率；其次，位于跨接位置的相邻金属层之间距离较近，两者之间容易产生静电，尤其是当绝缘层膜质较差时，相邻金属层更是容易产生静电击伤产品，加之跨接位置大片金属的静电大量累积，TFT产品质量无法得到有效保证。

实用新型内容

为解决上述相邻金属层因大片金属跨接结构静电累积导致产品容易被击伤的问题，本实用新型提出了一种TFT膜层防静电结构，通过将跨接位置的金属层分段设置，并使用小块金属搭接，有效减少静电积累，降低相邻金属层静电产生概率，主要通过以下结构实现。

一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；

所述第一金属层在与第二金属层的跨接位置至少断开为上段、中段、下段，有效减少因大片金属结构造成的静电累积；

所述第二金属层匹配第一金属层分段结构设置有小块金属，所述小块金属跨接于第一金属层的中段之上，其两端分别搭接于第一金属层的上段与下段，进一步的避免因使用大块金属跨接造成的静电累积。

作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，具体的，所述第一金属层与第二金属层之间设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层形成于第一金属层之上，所述第二金属层设置于第一绝缘层上方。

作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，所述小块金属与第一金属层之间同样设置有第一绝缘层，所述小块金属形成于第一绝缘层之上。

作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，所述第一绝缘层在小块金属与第一金属层上段、下段的搭接位置还设置有过孔，所述小块金属延伸至过孔内设置，通过小块金属实现第一金属层上段、下段的导通，同时更加便于小块金属与第一金属层的搭接固定。

作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，所述第二金属层在跨接位置设置为左、右两段，其左、右两段分别搭接于第一金属层中段的两端。

作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，所述第一绝缘层在第二金属层的左段、右段与第一金属层中段的搭接位置设置有过孔，所述第二金属层延伸至所述过孔内与第一金属层中段接触，形成电性通路，同时更便于第二金属层的左段、右段与第一金属层的搭接固定。

作为本实用新型提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，所述第一金属层的中段向左右两侧延伸，宽于上段、下段设置，便于第二金属层与中段端搭接。

有益效果

本实用新型所描述的一种TFT膜层防静电设计，区别于传统TFT膜层使用大块金属跨接的结构，本实用新型通过将跨接位置的金属层分段，并使用小块金属搭接，有效减少静电积累，有效防止产品被静电击伤；其次，其分段结构可在膜层铺设时同步蚀刻，制程相对简便，完美解决了TFT产品因相邻金属层大块金属跨接静电大量积累造成的产品损坏问题。

附图说明