[实用新型]一种功率器件全包封结构

权利要求书

1.一种功率器件全包封结构，其特征在于，包括：框架基岛结构、芯片结构、引脚结构和塑封外壳；其中，

所述框架基岛结构包括双排框架基岛，所述双排框架基岛头部与头部相互连接，所述双排框架基岛中的任一排框架基岛的尾部具有引脚连接孔，所述双排框架基岛中的任一排框架基岛具有用于容纳芯片的封装槽；

所述芯片结构包括两个芯片，所述两个芯片中的一个芯片位于所述双排框架基岛中的一排框架基岛的封装槽内，另一个芯片位于所述双排框架基岛中的另一排框架基岛的封装槽内；

所述引脚结构包括相互独立的两个引脚子结构，所述两个引脚子结构分别通过所述双排框架基岛的引脚连接孔与所述两个芯片电连接；

所述塑封外壳包覆所述框架基岛结构和所述芯片结构的外侧，以及包覆所述两个引脚子结构分别与所述两个芯片电连接的一端。

2.如权利要求1所述的功率器件全包封结构，其特征在于，所述双排框架基岛头部与头部连筋连接。

3.如权利要求1所述的功率器件全包封结构，其特征在于，所述塑封外壳具有左右对称的两部分结构，所述两部分结构中的任一部分结构包覆于所述双排框架基岛中的一排框架基岛和所述两个芯片中的一个芯片，以及包覆所述两个引脚子结构中的一个引脚子结构的一端，所述一个引脚子结构的一端与所述一个芯片电连接。

4.如权利要求3所述的功率器件全包封结构，其特征在于，所述塑封外壳具有凹槽，所述凹槽位于所述塑封外壳中位于所述任一排框架基岛的封装槽朝向的一侧的中部位置，所述凹槽的中位线与所述塑封外壳的左右对称线重合。

5.如权利要求4所述的功率器件全包封结构，其特征在于，所述双排框架基岛头部连接处位于所述凹槽朝向所述双排框架基岛的一侧，且所述双排框架基岛头部连接处的中位线与所述左右对称线重合。

6.如权利要求1-5任一项所述的功率器件全包封结构，其特征在于，所述任一排框架基岛包括基岛本体和弯折区域，所述弯折区域位于所述任一排框架基岛的尾部，所述弯折区域的一端具有引脚连接孔，另一端与所述基岛本体连接，所述基岛本体具有用于容纳芯片的封装槽。

7.如权利要求6所述的功率器件全包封结构，其特征在于，所述两个引脚子结构中的任一引脚子结构包括三个金属引脚，所述弯折区域的一端具有三个引脚连接孔，所述三个金属引脚与所述三个引脚连接孔一一对应的，所述三个金属引脚分别位于所述三个引脚连接孔内，且所述三个金属引脚各自的一端裸露于所述任一排框架基岛的外侧，另一端位于所述任一排框架基岛内。

8.如权利要求7所述的功率器件全包封结构，其特征在于，所述三个金属引脚各自的另一端通过金属线与位于所述任一排框架基岛的封装槽内的芯片电连接，所述金属线为铝线或铜线。

9.如权利要求1-5任一项所述的功率器件全包封结构，其特征在于，所述两个芯片通过粘接材料分别与所述双排框架基岛焊接在一起，所述粘接材料为锡膏或者银浆。

10.如权利要求9所述的功率器件全包封结构，其特征在于，所述两个芯片中的任一芯片为FRD芯片、IGBT芯片和MOSFET芯片中的一种。