[实用新型]薄膜体声波谐振器及滤波器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器包括：衬底和压电三明治结构，其特征在于，所述衬底具有凹槽，所述压电三明治结构至少部分悬设于所述凹槽的上方，所述凹槽内设置有支撑结构，所述支撑结构至少部分为布拉格反射结构。

2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构的上部为布拉格反射结构，所述上部靠近压电三明治结构。

3.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构全部为布拉格反射结构。

4.如权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电三明治结构与所述支撑结构之间直接接触，所述支撑结构对所述压电三明治结构器支撑作用。

5.如权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电三明治结构与所述支撑结构之间不直接接触，所述压电三明治结构与所述支撑结构之间具有缝隙部。

6.如权利要求5所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构的上端距离所述压电三明治结构的下表面的高度为1μm～5μm。

7.如权利要求4至6任一权利要求所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构设置于凹槽内，所述支撑结构的下端与凹槽相接，所述支撑结构与所述凹槽一体成型，或，所述支撑结构与所述凹槽底部焊接接触。

8.如权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构的数量具有一个以上。

9.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电三明治结构包括压电晶体、位于所述压电晶体之上且与所述压电晶体的上表面至少部分接触的第一电极和位于所述压电晶体之下且与所述压电晶体的下表面至少部分接触的第二电极，所述支撑结构设置于所述第二电极的下方，所述支撑结构与所述第二电极直接或间接接触。

10.一种滤波器，其特征在于，所述滤波器由权利要求9所述的薄膜体声波谐振器串联和/或并联连接而成。