[实用新型]一种适用于低功耗应用的隔离电源控制装置

权利要求书

1.一种适用于低功耗应用的隔离电源控制装置，其特征在于，包括低压差线性稳压驱动电源(LDO)、可调振荡电路、逻辑控制单元(logic)、H桥驱动单元(driver)；所述低压差线性稳压驱动电源(LDO)的第一输入端和第二输入端分别接外部电源(VCC)和启用信号(EN)，所述低压差线性稳压驱动电源(LDO)的输出端分别与所述可调振荡电路、逻辑控制单元(logic)和H桥驱动单元(driver)的电源端相连；所述可调振荡电路的输入端接收外部调制信号(RSET)；所述逻辑控制单元(logic)的第一输入端与所述可调振荡电路的输出端相连，所述逻辑控制单元(logic)的第一输出端和第二输出端分别与所述H桥驱动单元(driver)的第一输入端和第二输入端相连；所述H桥驱动单元(driver)的第一输出端和第二输出端分别与外接变压器原边的两个不同端口相连。

2.根据权利要求1所述的适用于低功耗应用的隔离电源控制装置，其特征在于，所述H桥驱动单元(driver)包括第一至第四MOS开关管(Q1，Q2，Q3，Q4)、第一采样电阻(Rs1)和第二采样电阻(Rs2)；所述H桥驱动单元(driver)的电源端到接地端之间有两条并联通路；第一并联通路中依次串联有第一MOS开关管(Q1)、第一采样电阻(Rs1)、第二采样电阻(Rs2)和第三MOS开关管(Q3)；第二并联通路中依次串联有第二MOS开关管(Q2)和第四MOS开关管(Q4)；所述H桥驱动单元(driver)的第一输入端分别连接至第一MOS开关管(Q1)和第三MOS开关管(Q3)的栅极，第二输入端分别连接至第二MOS开关管(Q2)和第四MOS开关管(Q4)的栅极；所述H桥驱动单元(driver)的第一输出端从第一采样电阻(Rs1)和第二采样电阻(Rs2)的连接节点引出，第二输出端从所述第二MOS开关管(Q2)和第四MOS开关管(Q4)的连接节点引出。

3.根据权利要求2所述的适用于低功耗应用的隔离电源控制装置，其特征在于，还包括热保护单元(OTP)和过流保护单元(LOW SIDE OCP)，且两者的电源端与所述低压差线性稳压驱动电源(LDO)的输出端连接，两者的输出端与所述逻辑控制单元(logic)连接；所述过流保护单元(LOW SIDE OCP)的第一输入端连接至所述H桥驱动单元(driver)中所述第一MOS开关管(Q1)和第一采样电阻(Rs1)的连接节点；所述过流保护单元(LOW SIDE OCP)的第二输入端连接至所述H桥驱动单元(driver)中所述第三MOS开关管(Q3)和第二采样电阻(Rs2)的连接节点。

4.根据权利要求3所述的适用于低功耗应用的隔离电源控制装置，所述逻辑控制单元(logic)包括或门、受控跟随器、第一分压电阻(R1)、第二分压电阻(R2)、上拉电阻(R3)、下拉电阻(R4)、第一晶体管和第二晶体管；所述热保护单元(OTP)和过流保护单元(LOW SIDEOCP)的输出端分别连接至所述或门的第一输入端和第二输入端；所述受控跟随器的输入端连接所述可调振荡器的输出端，输出端分别经由所述第一分压电阻(R1)和所述第二分压电阻(R2)连接至所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极，受控端连接所述或门的输出端；所述第一晶体管的源极经由所述上拉电阻(R3)连接至所述逻辑控制单元(logic)的电源端，漏极接地；所述第二晶体管的源极经由所述下拉电阻(R4)接地，漏极连接至所述逻辑控制单元(logic)的电源端。

5.根据权利要求4所述的适用于低功耗应用的隔离电源控制装置，其特征在于，所述第一晶体管为PMOS晶体管，所述第二晶体管为NMOS晶体管。