[实用新型]一种1-Map阵列QFN塑封翘曲校平装置有效
申请号: | 202023196621.1 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN214226871U | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 徐宏;汪洋;郭优优;童晓燕;佘贻俊;张学伟;汪宗华 | 申请(专利权)人: | 铜陵富仕三佳机器有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56 |
代理公司: | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人: | 范智强 |
地址: | 244000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 map 阵列 qfn 塑封 翘曲校 平装 | ||
本发明公开了一种1‑Map阵列QFN塑封翘曲校平装置,其特征是包括底座组件、容置组件、压持组件和冷却组件。本发明能够将塑封工艺后产生各种翘曲变形的塑封条带,保持压持状态完成后固化处理。使得原翘曲值由6.0‑8.0mm降低至平均2.5mm以下,满足后道切割工艺要求并且不破坏塑封体结构。本发明体积小,操作便捷,条带搭载能力强,能够适应多种规格1‑Map阵列QFN塑封条带,能够实现多种翘曲特征的校平功能;具有定位精度高、压持行程可测、可调功能。本发明有效改善多种尺寸规格1‑Map阵列QFN条带经塑封引起的翘曲现象。
技术领域
本发明涉及半导体塑封-后固化工艺领域,具体涉及一种用于校平1-Map阵列QFN塑封条带塑封翘曲的装置。
背景技术
QFN(Quad Flat No-lead,方形扁平无引脚封装)封装的引脚形式使得引线框架布局可设计为规则阵列形式。主要有1-Map、Multiple(2、3、4、5)-Map5种形式,Multiple MapQFN引线框架在短边均有(Map数量-1)个应力释放槽,该结构使热加工引起的内应力远小于1-Map,塑封冷却后Multiple Map中四种形式的整体翘曲程度显著小于1-Map。其中1-Map形式翘曲现象表征为长边翘曲俗称“哭脸”、短边翘曲俗称“笑脸”。
两种Map布局形式的翘曲差异极为显著,“哭脸”翘曲变形垂向高度均达到6-8.0mm。常用规格QFN的引线框架切割间隙尺寸仅为0.2mm,翘曲形变值与其相差一个数量级,各向综合形变破坏了原引线框架的切割间隙尺寸设计精度,器件间相对位置产生偏移,直接导致后道切割设备无法在尺寸变形较大区域进行芯片中心循迹对刀。但1-Map形式的产出效率最高,使得该封装形式逐渐被市场所采纳,翘曲变形问题亟待解决。
针对注塑制品的翘曲变形目前也有研究,比如公开号为CN109228282A公开了一种校正注塑成型制品平面翘曲变形的热处理方法,属于注塑成型技术领域。校正工具分为U型校正支架、调节块、施压块等三部分。将调节块置于U型校正支架中部,在调节块、U型校正支架的上方摆放被校正注塑成型制品,在被校正注塑成型制品上方安放施压块;然后将上述组合体放入烘箱中或在烘箱中完成上述组合,保温同时保持干燥环境,烘箱温度设置为低于注塑成型制品材质的玻璃化转变温度,保温1-2小时后,取出、分离各部分;待被校正注塑成型制品冷却到室温后,重复上述过程1-2次即可。本发明通过对塑料制品进行热处理,把塑料制品内应力先行释放,并辅之校正措施,有效解决了注塑成型平面翘曲变形的问题。但是上述方案其应用具有局限性,无法满足不同翘曲变形的情况,同时其效果欠佳。
发明内容
本发明的目的是解决1-Map阵列QFN条带在现行塑封工艺后产生的翘曲问题,提供一种校平装置,结合传统后固化工艺将多种塑封条带翘曲校平至不影响后道切割的程度。
本发明采用的技术方案是:一种1-Map阵列QFN塑封翘曲校平装置,其特征是包括底座组件、容置组件、压持组件和冷却组件,所述底座组件包括底座,所述底座上固接有螺柱、刻度导柱和弹簧导柱,所述底座设有用于放置衬块的容置空间;所述容置组件包括衬块和垫块,所述衬块设有用于放置垫块的容置空间;所述压持组件包括压板和连接板,所述压板和连接板分别设有通孔,所述通孔分别与螺柱、刻度导柱相适配,所述压板和连接板之间设有垫圈和锁紧螺母,所述连接板顶部固接有弹簧导柱;所述冷却组件包括气吹安装块,所述气吹安装块上固接有气吹连接块,所述气吹连接块固接有气吹块。
作为本发明的进一步改进,所述衬块包括平板底面结构、上弧底面结构或下弧底面结构。
作为本发明的进一步改进,所述衬块的容置空间底部设有规则排列的销钉孔。
作为本发明的进一步改进,所述弹簧导柱配有弹簧。
作为本发明的进一步改进,所述压持组件有若干个,分别配合有容置组件。
作为本发明的进一步改进,所述气吹块内部设有气道,所述气吹块一端固接有快换气接头。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造