[实用新型]气浮卡盘有效
申请号: | 202023200409.8 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN214279938U | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 曾安 | 申请(专利权)人: | 南京中安半导体设备有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 秦卫中 |
地址: | 210000 江苏省南京市自由贸易*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卡盘 | ||
1.一种气浮卡盘,其特征在于,包括:
喷嘴部,设置有多个支撑力喷嘴,用于在所述喷嘴部的顶部表面上形成气垫;
气体通道部,包括向所述多个支撑力喷嘴传输第一气体以提供支撑力的第一气体通道。
2.如权利要求1所述的气浮卡盘,其特征在于,所述喷嘴部还包括与所述多个支撑力喷嘴交替布置的多个吸力喷嘴,所述气体通道部还包括为所述多个吸力喷嘴传输第二气体以提供吸力的第二气体通道。
3.如权利要求2所述的气浮卡盘,其特征在于,所述多个支撑力喷嘴和所述多个吸力喷嘴在所述喷嘴部的顶部表面上布置成轴对称的图案。
4.如权利要求2所述的气浮卡盘,其特征在于,所述多个支撑力喷嘴和所述多个吸力喷嘴中的相邻喷嘴等间隔或非等间隔排列。
5.如权利要求4所述的气浮卡盘,其特征在于,所述多个支撑力喷嘴和所述多个吸力喷嘴布置成等间隔ΔR的多个同心喷嘴环。
6.如权利要求5所述的气浮卡盘,其特征在于,所述多个同心喷嘴环中距离气浮卡盘的中心最远的喷嘴环的半径比气浮卡盘的半径小0mm-20mm。
7.如权利要求5所述的气浮卡盘,其特征在于,所述多个同心喷嘴环中任一喷嘴环上相邻的支撑力喷嘴与吸力喷嘴之间在切向上间隔开恒定的距离ΔT。
8.如权利要求7所述的气浮卡盘,其特征在于,所述多个同心喷嘴环中随着喷嘴环与所述气浮卡盘的中心之间的距离增加,喷嘴环上喷嘴的总数量以双数增加,所述双数包括2、4、6、8或10。
9.如权利要求7所述的气浮卡盘,其特征在于,ΔR与ΔT的差值小于5mm。
10.如权利要求2所述的气浮卡盘,其特征在于,所述多个支撑力喷嘴和所述多个吸力喷嘴的形状包括三角形、椭圆形、空心环和圆形中的一种或多种。
11.如权利要求10所述的气浮卡盘,其特征在于,当所述多个支撑力喷嘴和所述多个吸力喷嘴的形状为圆形时,所述多个支撑力喷嘴和所述多个吸力喷嘴的直径范围为0.5mm-3mm。
12.如权利要求2所述的气浮卡盘,其特征在于,所述喷嘴部和所述气体通道部上设置有与所述多个支撑力喷嘴对应的多个第一气体通孔和与所述多个吸力喷嘴对应的多个第二气体通孔,所述第一气体通道通过所述多个第一气体通孔与所述多个支撑力喷嘴连接,所述第二气体通道通过所述多个第二气体通孔与所述多个吸力喷嘴连接。
13.如权利要求2所述的气浮卡盘,其特征在于,所述第一气体通道包括第一环形通道和与所述第一环形通道连接的多个第一通道,所述第二气体通道包括第二环形通道和与所述第二环形通道连接的多个第二通道。
14.如权利要求2至13中的任一项所述的气浮卡盘,其特征在于,所述气体通道部包括层叠的第一气体层和第二气体层,所述第一气体通道位于所述第一气体层,所述第二气体通道位于所述第二气体层。
15.如权利要求14所述的气浮卡盘,其特征在于,所述第一气体层设置有第一凹槽,用于容纳所述第一气体通道,所述第二气体层设置有第二凹槽,用于容纳所述第二气体通道。
16.如权利要求2至13中的任一项所述的气浮卡盘,其特征在于,所述多个支撑力喷嘴和所述多个吸力喷嘴按照笛卡尔坐标系或极坐标系布置。
17.如权利要求1至13中的任一项所述的气浮卡盘,其特征在于,所述喷嘴部的材料包括铝、玻璃、微晶硅或陶瓷,所述材料能够进行镜面抛光;其中抛光后的所述喷嘴部的顶部表面足够平坦以在所述喷嘴部的顶部表面显示干涉条纹。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造