[实用新型]一种IGBT开通瞬间尖峰电流防误检测电路及电路有效

专利信息
申请号: 202023211357.4 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN214900828U 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 颜冰钧;曾德墙;曾泽挺 申请(专利权)人: 福建万润新能源科技有限公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08;G01R19/165
代理公司: 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 代理人: 施文武;林祥翔
地址: 350100 福建省福州市闽侯县高*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 开通 瞬间 尖峰 电流 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种IGBT开通瞬间尖峰电流防误检测电路,其特征在于,包括高通滤波器、第一开关驱动器、PWM波发生器、或非门及第二开关驱动器;

所述高通滤波器的输出端连接于第一开关驱动器的控制端,所述高通滤波器的输入端连接于IGBT门极驱动的PWM驱动电路;

所述第一开关驱动器的输入端连接于高平电压VCC及或非门的第一输入端,输出端接地;

所述PWM波发生器连接于或非门的第二输入端;

所述或非门的输出端连接于第二开关驱动器的控制端;

所述第二开关驱动器的输入端连接于高平电压VCC及IGBT的退饱和检测电路,输出端接地。

2.根据权利要求1所述IGBT开通瞬间尖峰电流防误检测电路,其特征在于,还包括功率放大电路,所述功率放大电路的输入端连接于高通滤波器的输出端,所述功率放大电路的输出端连接于第一开关驱动器的控制端。

3.根据权利要求1所述IGBT开通瞬间尖峰电流防误检测电路,其特征在于,所述高通滤波器为RC高通滤波器。

4.根据权利要求1所述IGBT开通瞬间尖峰电流防误检测电路,其特征在于,所述第一开关驱动器及第二开关驱动器均为MOSFET功率管。

5.根据权利要求4所述IGBT开通瞬间尖峰电流防误检测电路,其特征在于,所述MOSFET功率管为N沟道MOSFET功率管;

所述第一开关驱动器及第二开关驱动器的控制端为N沟道MOSFET功率管的栅极,所述第一开关驱动器及第二开关驱动器的输入端为N沟道MOSFET功率管的漏极,所述第一开关驱动器及第二开关驱动器的输出端为N沟道MOSFET功率管的源极。

6.一种电路,其特征在于,包括IGBT、PWM驱动电路、IGBT开通瞬间尖峰电流防误检测电路及退饱和检测电路;

所述IGBT的门极连接于PWM驱动电路;

所述退饱和检测电路连接于IGBT的集电极;

所述IGBT开通瞬间尖峰电流防误检测电路为权利要求1-5任一项所述IGBT开通瞬间尖峰电流防误检测电路。

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