[实用新型]一种IGBT开通瞬间尖峰电流防误检测电路及电路

说明书

本实用新型涉及一种IGBT开通瞬间尖峰电流防误检测电路及电路，包括高通滤波器、第一开关驱动器、PWM波发生器、或非门及第二开关驱动器；所述高通滤波器的输出端连接于第一开关驱动器的控制端，所述高通滤波器的输入端连接于IGBT门极驱动的PWM驱动电路；所述第一开关驱动器的输入端连接于高平电压VCC及或非门的第一输入端，输出端接地；所述PWM波发生器连接于或非门的第二输入端；所述或非门的输出端连接于第二开关驱动器的控制端；所述第二开关驱动器的输入端连接于高平电压VCC及IGBT的退饱和检测电路，输出端接地。通过PWM波发生器可对检测屏蔽的起始时刻及持续时间进行调节，避免屏蔽起始时机不受控，避免屏蔽时间与IGBT工作频率不匹配。

技术领域

本实用新型涉及绝缘栅双极晶体管技术领域，特别涉及一种IGBT尖峰电流防误检测电路及含该防误检测电路的电路。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

在IGBT开通瞬间，因功率回路上的杂散电感、二极管反向恢复等原因会产生尖峰电流，该尖峰电流有可能误触发IGBT的退饱和保护，而现有的解决方案如下：

(1)选用工艺更优的IGBT；

(2)通过采用复合母排代替铜排等方式降低回路上的杂散电感；

(3)在IGBT开通瞬间，通过“消隐电容”屏蔽固定一段时间内的退饱和保护信号。

然而，选用工艺更优的IGBT及降低杂散电感的方式将会对系统成本带来明显上升，而通过“消隐电容”屏蔽退饱和保护的方式，其屏蔽时间为固定值，无法动态调节，在需要IGBT变载波频率、变负载工作的场合有可能屏蔽失效(屏蔽时间太短)或造成故障保护延迟(屏蔽时间太长)。

实用新型内容

为此，需要提供一种IGBT尖峰电流防误检测电路及含该防误检测电路的电路，解决采用选用工艺更优的IGBT及降低杂散电感成本高及采用“消融电容”屏蔽退饱和保护的方式的屏蔽时间固定的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种IGBT开通瞬间尖峰电流防误检测电路，包括高通滤波器、第一开关驱动器、PWM波发生器、或非门及第二开关驱动器；

所述高通滤波器的输出端连接于第一开关驱动器的控制端，所述高通滤波器的输入端连接于IGBT门极驱动的PWM驱动电路；

所述第一开关驱动器的输入端连接于高平电压VCC及或非门的第一输入端，输出端接地；

所述PWM波发生器连接于或非门的第二输入端；

所述或非门的输出端连接于第二开关驱动器的控制端；

所述第二开关驱动器的输入端连接于高平电压VCC及IGBT的退饱和检测电路，输出端接地。

进一步优化，还包括功率放大电路，所述功率放大电路的输入端连接于高通滤波器的输出端，所述功率放大电路的输出端连接于第一开关驱动器的控制端。

进一步优化，所述高通滤波器为RC高通滤波器。

进一步优化，所述第一开关驱动器及第二开关驱动器均为MOSFET功率管。

进一步优化，所述MOSFET功率管为N沟道MOSFET功率管；

所述第一开关驱动器及第二开关驱动器的控制端为N沟道MOSFET功率管的栅极，所述第一开关驱动器及第二开关驱动器的输入端为N沟道MOSFET功率管的漏极，所述第一开关驱动器及第二开关驱动器的输出端为N沟道MOSFET 功率管的源极。