[实用新型]一种场效应晶体管有效
申请号: | 202023216022.1 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN213816130U | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 王晓静 | 申请(专利权)人: | 东莞市中之电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/02;H01L23/14;H01L29/78 |
代理公司: | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 姜华 |
地址: | 523430 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 场效应 晶体管 | ||
本实用新型提供一种场效应晶体管,包括封装外壳、多根引脚、安装固定座、芯片,所述芯片设置在所述封装外壳内,所述引脚插入所述封装外壳内与所述芯片连接,所述安装固定座设置在所述封装外壳远离所述引脚的一侧面,所述安装固定座开设有螺纹孔;所述封装外壳的上表面通过转轴转动连接有引脚保护结构,所述引脚保护结构包括L形散热板体、若干阵列设置在所述L形散热板体靠向所述封装外壳一表面的散热翅片,各所述散热翅片的下表面与所述封装外壳的上表面接触。本实用新型的有益效果是:通过设置引脚保护结构,从而避免其在运输过程中因为引脚的损坏而导致产品报废,并且具有良好的散热功能,从而降低其能耗。
技术领域
本实用新型涉及场效应晶体管技术领域,尤其涉及一种带引脚保护结构的场效应晶体管。
背景技术
场效应晶体管简称场效应管,主要有两种类型:结型场效应管和金属-氧化物半导体场效应管。场效应晶体由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者,因此,行业内的研发人员也在竭力不断改进场效应晶体管的结构,提升其使用寿命,进而继续提升其市场份额。
实用新型内容
基于此,本实用新型的目的在于提供一种场效应晶体管,通过设置引脚保护结构,从而避免其在运输过程中因为引脚的损坏而导致产品报废,并且具有良好的散热功能,从而降低其能耗。
本实用新型提供一种场效应晶体管,包括封装外壳、多根引脚、安装固定座、芯片,所述芯片设置在所述封装外壳内,所述引脚插入所述封装外壳内与所述芯片连接,所述安装固定座设置在所述封装外壳远离所述引脚的一侧面,所述安装固定座开设有螺纹孔;所述封装外壳的上表面通过转轴转动连接有引脚保护结构,所述引脚保护结构包括L形散热板体、若干阵列设置在所述L形散热板体靠向所述封装外壳一表面的散热翅片,各所述散热翅片的下表面与所述封装外壳的上表面接触;当处于引脚保护状态时,所述L形散热板体旋转至所述引脚的上方,所述引脚被遮挡在所述L形散热板体所形成的保护空间内;当处于安装固定座保护状态时,所述L形散热板体旋转至所述安装固定座的上方,所述安装固定座被遮挡在所述L形散热板体所形成的保护空间内。
作为优选方案,所述封装外壳的内部形成芯片收纳腔,所述封装外壳与所述芯片收纳腔之间形成有导热硅脂收纳腔,所述导热硅脂收纳腔内填充设置有导热硅脂。
作为优选方案,所述封装外壳的上表面开设有若干贯穿所述导热硅脂收纳腔与所述芯片收纳腔连通的散热孔。
作为优选方案,所述引脚的自由端开设有螺纹孔。
作为优选方案,所述封装外壳的下表面贴合设置有双面胶片层。
本实用新型的有益效果为:
1、封装外壳的上表面通过转轴转动连接有引脚保护结构,当处于引脚保护状态时,L形散热板体旋转至引脚的上方,引脚被遮挡在L形散热板体所形成的保护空间内,避免因为碰撞而导致引脚的变形或者损坏;L形散热板体靠向封装外壳一表面的散热翅片,使封装外壳的热量通过散热翅片进行散发,提升其散热的速度,从而降低场效应晶体管的能耗;
2、封装外壳与芯片收纳腔之间形成有导热硅脂收纳腔,导热硅脂收纳腔内填充设置有导热硅脂,再配合散热孔,进一步加强芯片在芯片收纳腔内的散热速度;
3、封装外壳的下表面贴合设置有双面胶片层,将场效应晶体管安装到电路板上进行预定位,通过双面胶片层先与电路板相应的地方贴紧,防止固定引脚安装时发生位置偏移,影响装配的质量。
附图说明
图1为本实用新型的立体视图(显示处于引脚保护状态时)。
图2为本实用新型的立体视图(显示处于安装固定座保护状态)。
图3为侧面局部剖视图。
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