[实用新型]气相沉积晶圆受热结构

说明书

本实用新型提供一种气相沉积晶圆受热结构，包含：碟盘以及大盘模块，其中碟盘中央设有一晶圆定位通孔以供承载一晶圆，晶圆具有一反应面以及一位于反应面背面的受热面；大盘模块具有至少一个碟盘槽以供至少一碟盘定位，且大盘模块具有一热源面，热源面设置在对应于受热面的位置且与受热面保持一受热间距，以使受热面均匀地通过热源面接收辐射热，并防止晶圆翘曲变形时直接接触热源面。

技术领域

本实用新型涉及关于半导体化学气相沉积作业的设备，尤指一种应用于高温低压状态的气相沉积晶圆受热结构。

背景技术

化学气相沉积是一种在晶圆的反应面，形成薄膜的重要手段，其系将晶圆置入一反应腔中，对晶圆加热并使晶圆的反应面与反应气体接触而形成薄膜。在高温低压的气相沉积制程中，晶圆的反应面与反应气体的接触是否均匀、晶圆的反应面的加热温度是否精准与均匀，都会直接影响薄膜形成的品质。其中，晶圆置入反应腔后的定位及承载方式也影响薄膜的形成品质，承载晶圆的机构有时还涉及许多传动机构以及驱动旋转的机构，这些传动以及驱动旋转的机构会直接影响反应气体对晶圆的反应面的接触效果、对晶圆非反应面的加热方式以及晶圆是否便于通过自动化设备执行而影响晶圆产能的问题。又用于承载晶圆的相关装置，往往会在晶圆反应面的背面设至晶圆托盘，晶圆托盘又可能会与相关的升降机构或旋转机构连接，导致相对于晶圆背面区域存在着复杂的机构，又温度的控制、晶圆受热的均匀度直接影响化学气相沉积的品质，当晶圆背面区域存在着复杂的机构，就会产生不良的温度控制效果。

实用新型内容

本实用新型的主要目的，是提供一种气相沉积晶圆受热结构，解决现有技术中存在的上述技术问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种气相沉积晶圆受热结构，其特征在于，包含：

至少一碟盘，其中央设有一晶圆定位通孔以供承载一晶圆，该晶圆具有一反应面以及一位于反应面背面的受热面；以及

一大盘模块，其具有至少一个碟盘槽以供该至少一碟盘定位，且该大盘模块具有一热源面，该热源面设置在对应于该受热面的位置且与该受热面保持一受热间距。

实施时，受热间距至少为晶圆翘曲变形量的20倍。

实施时，碟盘边缘设有一呈环状的衔接部，至少一碟盘槽设有一环槽沟以供衔接部置入。

实施时，环槽沟衔接一入气引道，以引入气浮气体于环槽沟中施力于衔接部使至少一碟盘悬浮，环槽沟衔接于一导出口，以供气浮气体排出。

实施时，热源面设置在晶圆定位通孔的上方，晶圆定位通孔供晶圆以反应面朝下的形式放置，大盘模块对应于晶圆定位通孔的下方设有一透孔。

实施时，热源面设置在晶圆定位通孔的下方，晶圆定位通孔供晶圆以反应面朝上的形式放置。

实施时，晶圆定位通孔的边缘设有复数承载指。

实施时，每一承载指具有一与晶圆的边缘接触的倾斜承载部。

相较于现有技术，本实用新型在结构设计上相当单纯，使晶圆的受热面(反应面的背面)均匀地通过热源面接收辐射热，并防止晶圆翘曲变形时直接接触热源面。除了大幅降低晶圆的接触式热传导之外，更没有过多或复杂的传动机构，非常有利于维护与保养；其次，本实用新型独特的设计可广泛的运用于面上型、面下型气相沉积作业，能提供晶圆较佳的产品合格率。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例的俯视分解图；

图2为本实用新型第一实施例的剖视图示意图；

图3为本实用新型第二实施例的俯视分解图示意图；

图4为本实用新型第二实施例的剖视图示意图。