[实用新型]一种运用于LDO的省电省面积的软启动电路有效

专利信息
申请号: 202023231265.2 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN215117306U 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 刘安伟;施冠良;郑文豪;朱纯莹 申请(专利权)人: 南京扬贺扬微电子科技有限公司
主分类号: G05F1/569 分类号: G05F1/569
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 李琼
地址: 210000 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 运用于 ldo 省电省 面积 启动 电路
【权利要求书】:

1.一种运用于LDO的省电省面积的软启动电路,其特征在于,包括:第一电流源、第二电流源、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和电容;第一电流源的一端、第一MOS管的漏极、第二MOS管的栅极连接于第一节点;第二电流源的一端、第二MOS管的漏极、第三MOS管的栅极和电容的一端电连接于第二节点;电容的另一端、第一MOS管和第二MOS管的源极均接地;第一MOS管的栅极接收启动信号EA_ST;第三MOS管的源极和漏极分别与第四MOS管的源极和漏极电连接;所述第四MOS管位于所述LDO的误差放大器中,且所述第四MOS管的栅极引出作为所述误差放大器的正向输入端以接收参考电压信号Vref。

2.根据权利要求1所述的运用于LDO的省电省面积的软启动电路,其特征在于,所述第一MOS管和第二MOS管均为NMOS管;所述第三MOS管和第四MOS管均为PMOS管。

3.根据权利要求2所述的运用于LDO的省电省面积的软启动电路,其特征在于,第一电流源和第二电流源各自包括两个串联的PMOS管,且两个串联的PMOS管的栅极分别接收第一偏置电压和第二偏置电压;所述第一电流源和第二电流源各自包括的两个串联的PMOS管中,远离所述第一MOS管和第二MOS管的PMOS管的源极与外部电源电连接。

4.根据权利要求1所述的运用于LDO的省电省面积的软启动电路,其特征在于,所述启动信号EA_ST和所述参考电压信号Vref均来自带隙基准电压电路。

5.一种根据权利要求1~3中任一者所述的运用于LDO的省电省面积的软启动电路,其特征在于,还包括误差放大器、频率补偿电路、功率管、第一反馈电阻和第二反馈电阻;所述误差放大器的输出端经由所述频率补偿电路与所述功率管的栅极电连接;所述功率管的源极接外部电源,漏极经由串联的第一反馈电阻和第二反馈电阻接地;所述误差放大器的负向输入端与第一反馈电阻和第二反馈电阻的连接点电连接。

6.根据权利要求5所述的运用于LDO的省电省面积的软启动电路,其特征在于,所述误差放大器包括:所述第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第三电流源;第四MOS管和第五MOS管的源极与所述第三电流源电连接;所述第四MOS管的漏极与第六MOS管的漏极和栅极以及第七MOS管的栅极电连接;所述第五MOS的漏极与所述第七MOS管的漏极电连接;第六MOS管和第七MOS管的源极均接地;所述第五MOS管栅极引出作为所述误差放大器的所述负向输入端。

7.根据权利要求5所述的运用于LDO的省电省面积的软启动电路,其特征在于,第四MOS管和第五MOS管均为PMOS管;第六MOS管和第七MOS管均为NMOS管;所述功率管为P型功率管。

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