[实用新型]一种运用于LDO的省电省面积的软启动电路

说明书

本实用新型公开了一种运用于LDO的省电省面积的软启动电路，包括第一电流源、第二电流源、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和电容；第一电流源的一端、第一MOS管的漏极、第二MOS管的栅极连接于第一节点；第二电流源的一端、第二MOS管的漏极、第三MOS管的栅极和电容的一端电连接于第二节点；电容的另一端、第一MOS管和第二MOS管的源极均接地；第一MOS管的栅极接收启动信号EA_ST；第三MOS管的源极和漏极分别与第四MOS管的源极和漏极电连接；第四MOS管位于LDO的误差放大器中，且第四MOS管的栅极引出作为误差放大器的正向输入端以接收参考电压信号。本实用新型不需使用复杂的控制电路，只要使用较少组件即可达成输出软启动之功能。

技术领域

本实用新型涉及电子电路，尤其涉及一种运用于LDO(Low Dropout regulator，低压差线性稳压器)的省电省面积的软启动电路。

背景技术

LDO是一种线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管(FET)，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。一般的LDO regulator在外部电源加入初期会产生很大的电流，加上对负载的瞬间输出，会造成所谓“峰值电流(Peakcurrent)”产生，可能会因为组件的耐受度降低而造成损坏，造成启动过冲，此时LDO输出端的电压随时间的变化关系如图1所示。

发明内容

发明目的：为克服现有技术中的问题，本实用新型一方面旨在提供一种运用于LDO的省电省面积的软启动电路。另一方面，本实用新型提供一种包括上述软启动电路的LDO。

技术方案：一方面，本实用新型公开了一种运用于LDO的省电省面积的软启动电路。该软启动电路包括：第一电流源、第二电流源、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和电容；第一电流源的一端、第一MOS管的漏极、第二MOS管的栅极连接于第一节点；第二电流源的一端、第二MOS管的漏极、第三MOS管的栅极和电容的一端电连接于第二节点；电容的另一端、第一MOS管和第二MOS管的源极均接地；第一MOS管的栅极接收启动信号EA_ST；第三MOS管的源极和漏极分别与第四MOS管的源极和漏极电连接；所述第四MOS管位于所述LDO的误差放大器中，且所述第四MOS管的栅极引出作为所述误差放大器的正向输入端以接收参考电压信号。

进一步地，所述第一MOS管和第二MOS管均为NMOS管；所述第三MOS管和第四MOS管均为PMOS管。

进一步地，第一电流源和第二电流源各自包括两个串联的PMOS管，且两个串联的PMOS管的栅极分别接收第一偏置电压和第二偏置电压；所述第一电流源和第二电流源各自包括的两个串联的PMOS管中，远离所述第一MOS管和第二MOS管的PMOS管的源极与外部电源电连接。

进一步地，所述启动信号和所述参考电压信号均来自带隙基准电压电路。

另一方面，本实用新型公开了一种包括上述软启动电路的LDO。所述LDO还包括误差放大器、频率补偿电路、功率管、第一反馈电阻和第二反馈电阻；所述误差放大器的输出端经由所述频率补偿电路与所述功率管的栅极电连接；所述功率管的源极接外部电源，漏极经由串联的第一反馈电阻和第二反馈电阻接地；所述误差放大器的负向输入端与第一反馈电阻和第二反馈电阻的连接点电连接。

进一步地，所述误差放大器包括：所述第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第三电流源；第四MOS管和第五MOS管的源极与所述第三电流源电连接；所述第四MOS管的漏极与第六MOS管的漏极和栅极以及第七MOS管的栅极电连接；所述第五MOS的漏极与所述第七MOS管的漏极电连接；第六MOS管和第七MOS管的源极均接地；所述第五MOS管栅极引出作为所述误差放大器的所述负向输入端。

进一步地，第四MOS管和第五MOS管均为PMOS管；第六MOS管和第七MOS管均为NMOS管；所述功率管为P型功率管。

有益效果：本发明与现有技术相比，具有以下优点：