[实用新型]一种散热型碳化硅肖特基二极管有效

专利信息
申请号: 202023265056.X 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN213716887U 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 邓常春 申请(专利权)人: 东莞市佳骏电子科技有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367
代理公司: 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 代理人: 姜华
地址: 523808 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 散热 碳化硅 肖特基 二极管
【说明书】:

实用新型提供了一种散热型碳化硅肖特基二极管,包括上壳体、下壳体、碳化硅肖特基芯片、第一引脚、第二引脚,所述下壳体上端镀有一层铜箔层,所述碳化硅肖特基芯片位于所述铜箔层一端上侧,所述铜箔层另一端上侧与所述第一引脚相抵触,所述碳化硅肖特基芯片上端与所述第二引脚上端连接有金线,所述下壳体上端设有第一凹槽,所述第一凹槽内固定有导热板,所述下壳体下端设有第二凹槽,所述第二凹槽内固定有散热片,所述散热片位于所述碳化硅肖特基芯片下侧。本实用新型的碳化硅肖特基二极管,适用于充电桩、光伏电站、汽车电子等电路中,散热性能优异。

技术领域

本实用新型涉及二极管技术领域,具体涉及一种散热型碳化硅肖特基二极管。

背景技术

碳化硅肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种金属-半导体器件。碳化硅肖特基二极管是一种高压电力电子器件,由于其反向恢复时间短,耐高压,广泛应用于充电桩、光伏电站、汽车电子等电路中。常规的碳化硅肖特基二极管,普遍存在散热性能较差的问题,造成碳化硅肖特基二极管在工作过程中容易过热,这一问题亟待解决。

实用新型内容

针对以上问题,本实用新型提供一种散热型碳化硅肖特基二极管,适用于充电桩、光伏电站、汽车电子等电路中,散热性能优异。

为实现上述目的,本实用新型通过以下技术方案来解决:

一种散热型碳化硅肖特基二极管,包括上壳体、下壳体、碳化硅肖特基芯片、第一引脚、第二引脚,所述下壳体上端镀有一层铜箔层,所述碳化硅肖特基芯片位于所述铜箔层一端上侧,所述铜箔层另一端上侧与所述第一引脚相抵触,所述碳化硅肖特基芯片上端与所述第二引脚上端连接有金线,所述下壳体上端设有第一凹槽,所述第一凹槽内固定有导热板,所述下壳体下端设有第二凹槽,所述第二凹槽内固定有散热片,所述散热片位于所述碳化硅肖特基芯片下侧。

具体的,所述第一引脚上设有第一凹陷部,所述上壳体上设有供所述第一凹陷部插入的第一避让槽,所述第二引脚上设有第二凹陷部,所述上壳体上设有供所述第二凹陷部插入的第二避让槽。

具体的,所述上壳体上还连接有支柱,所述支柱位于所述碳化硅肖特基芯片与所述第二引脚之间,所述支柱上端设有供所述金线容置的第三避让槽。

具体的,所述导热板靠向所述碳化硅肖特基芯片一端还连接有延伸部。

具体的,所述上壳体上端两侧均设有散热槽。

本实用新型的有益效果是:

本实用新型的碳化硅肖特基二极管,适用于充电桩、光伏电站、汽车电子等电路中,在下壳体上端增加了第一凹槽,第一凹槽内固定有导热板,在下壳体下端增加了第二凹槽,第二凹槽内固定有散热片,提升了碳化硅肖特基二极管的散热性能。

附图说明

图1为本实用新型的一种散热型碳化硅肖特基二极管的结构示意图。

附图标记为:上壳体1、下壳体2、碳化硅肖特基芯片3、第一引脚4、第二引脚5、铜箔层6、金线7、导热板8、散热片9、第一避让槽10、第二避让槽11、支柱12、延伸部13、散热槽14。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述,但本实用新型的实施方式不限于此。

如图1所示:

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