[实用新型]一种使用倒装发光二极管芯片的背光模组有效
| 申请号： | 202023272788.1 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN213988888U | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李小丁 | 申请（专利权）人： | 深圳市辰中科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60;H01L33/50 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区香蜜湖街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 使用 倒装 发光二极管 芯片 背光 模组 | ||
1.一种使用倒装发光二极管芯片的背光模组，其特征在于，包括：
基板；
多个发光二极管芯片，阵列设置在所述基板上；
光学转换层，设置在所述基板上，所述光学转换层包覆所述发光二极管芯片的；
透明介质层，设置在所述光学转换层上；
金属光栅层，设置在所述透明介质层上；
其中，所述基板上包括第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述发光二极管芯片的第一电极的第一端连接，所述第二焊盘与所述发光二极管芯片的第二电极的第二端连接；
其中，所述发光二极管芯片包括发光层，所述发光层包括交替生长的阱层和垒层，所述阱层和所述垒层的总层数为40-50。
2.根据权利要求1所述的使用倒装发光二极管芯片的背光模组，其特征在于，所述发光二极管芯片为倒装结构，所述发光二极管芯片为蓝光LED芯片。
3.根据权利要求1所述的使用倒装发光二极管芯片的背光模组，其特征在于，所述金属光栅层中的光栅周期为50-100nm，所述光栅的占空比为0.3-0.7。
4.根据权利要求1所述的使用倒装发光二极管芯片的背光模组，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括衬底，所述发光层设置在所述衬底上。
5.根据权利要求4所述的使用倒装发光二极管芯片的背光模组，其特征在于，所述发光层和所述衬底之间还设置有缓冲层。
6.根据权利要求4所述的使用倒装发光二极管芯片的背光模组，其特征在于，所述发光层包括第一半导体层，有源层和第二半导体层，所述阱层和所述垒层形成所述有源层。
7.根据权利要求6所述的使用倒装发光二极管芯片的背光模组，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括电流扩散层，所述电流扩散层位于所述第二半导体层上。
8.根据权利要求6所述的使用倒装发光二极管芯片的背光模组，其特征在于，所述第一电极的第二端还连接所述第一半导体层。
9.根据权利要求7所述的使用倒装发光二极管芯片的背光模组，其特征在于，所述第二电极的第二端还连接所述电流扩散层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
