[实用新型]一种使用倒装发光二极管芯片的背光模组有效
申请号: | 202023272788.1 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN213988888U | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 李小丁 | 申请(专利权)人: | 深圳市辰中科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60;H01L33/50 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 林凡燕 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区香蜜湖街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 使用 倒装 发光二极管 芯片 背光 模组 | ||
本实用新型提出一种使用倒装发光二极管芯片的背光模组,包括:基板;多个发光二极管芯片,阵列设置在所述基板上;光学转换层,设置在所述基板上,所述光学转换层包覆所述发光二极管芯片的;透明介质层,设置在所述光学转换层上;金属光栅层,设置在所述透明介质层上;其中,所述基板上包括第一焊盘和第二焊盘,所述第一焊盘与所述发光二极管芯片的的第一电极的第一端连接,所述第二焊盘与所述发光二极管芯片的的第二电极的第二端连接;其中,所述发光二极管芯片的包括发光层,所述发光层包括交替生长的阱层和垒层,所述阱层和所述垒层的总层数为40‑50。本实用新型提出的使用倒装发光二极管芯片的背光模组可以提高混光效果。
技术领域
本实用新型涉及发光技术领域,特别涉及一种使用倒装发光二极管芯片的背光模组。
背景技术
Mini LED介于传统LED与Micro LED之间,因此对于现有厂商来说,许多既有的制程与设备可以延续使用,所以无需引进太多的新设备。特别是将Mini LED技术搭配软性基板,可以制成高曲面背光模组,将有机会率先导入于手机、电视、车载面板,以及电竞笔电等多种应用,且Mini LED无需克服巨量转移的技术门槛,更容易实现量产。
随着显示技术的发展,用户对液晶显示器特别是液晶电视的外观涉及需求逐步趋向于超薄超窄边框的设计,背光模组的结构是影响液晶显示器实现轻薄化、窄边框化的重要因素之一。现有技术中,液晶显示器的背光模组主要包括直下式背光模组和侧入式背光模组。侧光式背光模组的灯条设置在模组的侧边,依靠导光板将光能均匀分布到模组的显示区域内,故而侧光式背光模组的结构比较轻薄,但难以做到窄边框设计。直下式背光模组的则是由多组光源均匀分布在背光模组的底部,在光源上加装发散透镜以在背光模组内部腔体的空间距离内进行混光,需要较大的混光高度,所以直下式背光模组可以满足窄边框的要求,但却难以实现薄型化。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的缺陷,本实用新型提出一种使用倒装发光二极管芯片的背光模组,该背光模组可以在较小厚度的空间内实现均匀的混光效果。
为实现上述目的及其他目的,本实用新型提出一种使用倒装发光二极管芯片的背光模组,包括:
基板;
多个发光二极管芯片,阵列设置在所述基板上;
光学转换层,设置在所述基板上,所述光学转换层包覆所述发光二极管芯片的;
透明介质层,设置在所述光学转换层上;
金属光栅层,设置在所述透明介质层上;
其中,所述基板上包括第一焊盘和第二焊盘,所述第一焊盘与所述发光二极管芯片的的第一电极的第一端连接,所述第二焊盘与所述发光二极管芯片的的第二电极的第二端连接;
其中,所述发光二极管芯片的包括发光层,所述发光层包括交替生长的阱层和垒层,所述阱层和所述垒层的总层数为40-50。
进一步地,所述发光二极管芯片为倒装结构,所述发光二极管芯片为蓝光LED芯片。
进一步地,所述光学转换层包括胶体材料和掺杂在所述胶体材料中的荧光粉和雾度粒子。
进一步地,所述金属光栅层中的光栅周期为50-100nm,所述光栅的占空比为0.3-0.7。
进一步地,所述发光二极管芯片的还包括衬底,所述发光层设置在所述衬底上。
进一步地,所述发光层和所述衬底之间还设置有缓冲层。
进一步地,所述发光层包括第一半导体层,有源层和第二半导体层,所述阱层和所述垒层形成所述有源层。
进一步地,所述发光二极管芯片的还包括电流扩散层,所述电流扩散层位于所述第二半导体层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的