[实用新型]TSV电镀设备真空槽装置

说明书

本实用新型揭示了一种TSV电镀设备真空槽装置，包括槽体、第一管路、第二管路，槽体一侧设有真空泵、储液罐，第一管路两端分别与真空泵、槽体连接，第二管路一端伸入储液罐中，第二管路另一端伸入槽体，储液罐一侧设有压力机构，压力机构与储液罐通过第三管路连接；槽体内设有料架，槽体外侧设有旋转动力机构，旋转动力机构通过传动机构与料架传动连接。本实用新型可以通过旋转料架使半导体工件呈倾斜状，然后由槽体底部导入电镀液，电镀液液位上升过程中慢慢浸没半导体工件，半导体工件上的孔洞倾斜，电镀液可以平滑的进入孔洞中，防止残留气泡，同时，通过真空泵抽取槽体内空气，使槽体内气压降低，电镀液更容易进入槽体中，也更容易填满孔洞。

技术领域

本实用新型涉及半导体电镀加工技术领域，具体涉及一种TSV电镀设备真空槽装置。

背景技术

在半导体加工过程中常使用电镀工艺为半导体表面镀上金属层，电镀过程中通常将半导体工件与阴极电连接，电镀片(例如铜片)与阳极电连接，然后将半导体工件和电镀片放入装有电镀液的电镀槽中，通上直流电静候片刻即可完成电镀。

现有的电镀槽为普通的顶部开口槽体，内部预先装有电镀液，电镀时将半导体工件竖直放入电镀槽中，缺点在于，在为带有孔洞的半导体工件进行电镀时，孔洞内容易残留气泡，导致电镀液不能完全与孔洞内壁接触，孔洞内壁存在电镀盲区。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种TSV电镀设备真空槽装置。

为实现上述实用新型目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种TSV电镀设备真空槽装置，包括槽体、第一管路、第二管路，所述槽体一侧设有真空泵、储液罐，所述第一管路一端与所述真空泵连接，所述第一管路另一端由上侧伸入所述槽体中，以抽取槽体中的空气，所述第二管路一端伸入所述储液罐中，所述第二管路另一端由底部伸入所述槽体中，用于从所述槽体底部输入电镀液，所述储液罐一侧设有压力机构，以将储液罐内的电镀液压入槽体中，所述压力机构与所述储液罐通过第三管路连接；

所述槽体内设有料架，以固定半导体工件，所述槽体外侧设有旋转动力机构，所述旋转动力机构通过传动机构与所述料架传动连接，以驱动所述料架转动。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述储液罐还连接有补液管，所述储液罐上设有泄压阀。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述压力机构为高压气罐。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述旋转动力机构为电机。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述传动机构为齿轮传动机构。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述槽体底部连接有排液管。

相对于现有技术，本实用新型的技术效果在于：

本实用新型可以通过旋转料架使半导体工件呈倾斜状，然后由槽体底部导入电镀液，电镀液液位上升过程中慢慢浸没半导体工件，半导体工件上的孔洞倾斜，电镀液可以平滑的进入孔洞中，防止残留气泡，电镀液与孔洞内壁充分接触，避免孔洞内壁产生电镀盲区，同时，通过真空泵抽取槽体内空气，使槽体内气压降低，电镀液更容易进入槽体中，也更容易填满孔洞。

附图说明

图1是本实用新型实施方式中一种TSV电镀设备真空槽装置的结构示意图；

图2是带有孔洞的半导体工件剖视结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。