[实用新型]空间光高能量密度半导体激光器

权利要求书

1.一种空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述激光器包括热沉、安装于热沉内的电路板、多个安装于热沉内的光源模块，光源模块包括基板以及安装于基板上的多个发光单元，发光单元与电路板电连接，光源模块呈阵列分布设置，发光单元呈并排设置，发光单元的发光面朝向同一方向，各发光单元用于输出在远场方向相互重叠的光束。

2.根据权利要求1所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述热沉上开设有用于安装电路板和光源模块的第一槽体，所述基板安装于第一槽体的侧壁上。

3.根据权利要求2所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述第一槽体沿竖直方向的投影呈正方形。

4.根据权利要求1所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述电路板位于光源模块的下方。

5.根据权利要求4所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述基板和电路板之间安装有用于电连接电路板和发光单元的导电块。

6.根据权利要求1所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述发光单元之间的间距为2～3mm。

7.根据权利要求1所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述光源模块设置有四个。

8.根据权利要求1所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述发光单元为mini-bar。

9.根据权利要求1所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述热沉上涂敷有导热层。

10.根据权利要求2所述的空间光高能量密度半导体激光器，其特征在于，所述热沉上安装有用于密封第一槽体的窗口片。