[实用新型]空间光高能量密度半导体激光器

说明书

本实用新型揭示了一种空间光高能量密度半导体激光器，包括热沉、安装于热沉内的电路板、多个安装于热沉内的光源模块，光源模块包括基板以及安装于基板上的多个发光单元，发光单元与电路板电连接，光源模块呈阵列分布设置，发光单元呈并排设置，发光单元的发光面朝向同一方向，各发光单元用于输出在远场方向相互重叠的光束。本实用新型中的空间光高能量密度半导体激光器体积小，功率密度高，发光效率高，穿透性极强。

技术领域

本实用新型属于激光器领域，具体涉及一种空间光高能量密度半导体激光器。

背景技术

半导体激光器已经广泛应用于国民经济的各个领域，目前市场上的半导体激光器功率密度低，穿透性弱，无法满足一些特定场合的要求，或者即使满足了要求，却为了提高性能导致整个激光器结构比较复杂、体积大，使用受限。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种空间光高能量密度半导体激光器。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种空间光高能量密度半导体激光器，以实现减小体积，提高功率密度。

为了实现上述目的，本实用新型一实施例提供的技术方案如下：

一种空间光高能量密度半导体激光器，所述激光器包括热沉、安装于热沉内的电路板、多个安装于热沉内的光源模块，光源模块包括基板以及安装于基板上的多个发光单元，发光单元与电路板电连接，光源模块呈阵列分布设置，发光单元呈并排设置，发光单元的发光面朝向同一方向，各发光单元用于输出在远场方向相互重叠的光束。

一实施例中，所述热沉上开设有用于安装电路板和光源模块的第一槽体，所述基板安装于第一槽体的侧壁上。

一实施例中，所述第一槽体沿竖直方向的投影呈正方形。

一实施例中，所述电路板位于光源模块的下方。

一实施例中，所述基板和电路板之间安装有用于电连接电路板和发光单元的导电块。

一实施例中，所述发光单元之间的间距为2～3mm。

一实施例中，所述光源模块设置有四个。

一实施例中，所述发光单元为mini-bar。

一实施例中，所述热沉上涂敷有导热层。

一实施例中，所述热沉上安装有用于密封第一槽体的窗口片。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

本实用新型中的空间光高能量密度半导体激光器体积小，功率密度高，发光效率高，穿透性极强。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型一实施例中空间光高能量密度半导体激光器的爆炸图；

图2为本实用新型一实施例中空间光高能量密度半导体激光器的发光单元的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细描述。但该等实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据该等实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。