[实用新型]底部进音麦克风

说明书

本实用新型公开了一种底部进音麦克风，包括：PCB板、MEMS芯片、ASIC芯片和外壳，PCB板上开设有容置槽，MEMS芯片、ASIC芯片分别部分容置于对应的容置槽内并与PCB板电连接，外壳与PCB板连接，外壳罩住MEMS芯片和ASIC芯片。上述的底部进音麦克风能够增大底部进音麦克风的产品信噪比、提高产品性能、节约产品设计成本。

技术领域

本实用新型涉及麦克风结构领域，尤其涉及一种底部进音麦克风。

背景技术

一般地，影响底部进音麦克风的产品性能的主要因素为麦克风的密闭腔体的体积，密闭腔体的体积越大、信噪比越大，产品性能越好。由于麦克风尺寸的局限性，现有技术主要通过对芯片进行轻薄化设计来增加密闭腔体的体积，以提高产品性能，然而，芯片结构的研发需要高投入与更强的专业性，设计难度大、设计成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种底部进音麦克风，能够增大底部进音麦克风的产品信噪比、提高产品性能、节约产品设计成本。

为达此目的，一方面，本实用新型采用以下技术方案：

一种底部进音麦克风，包括：PCB板、MEMS芯片、ASIC芯片和外壳，所述PCB板上开设有容置槽，所述MEMS芯片、ASIC芯片分别部分容置于对应的所述容置槽内并与所述PCB板电连接，所述外壳与所述PCB板连接，所述外壳罩住所述MEMS芯片和所述ASIC芯片。

在其中一个实施例中，所述PCB板上形成有阻焊层，去除部分所述阻焊层形成所述容置槽。

在其中一个实施例中，所述PCB板上形成有阻焊层和铜箔层，去除部分所述阻焊层和部分所述铜箔层形成所述容置槽。

在其中一个实施例中，所述PCB板上形成有阻焊层和芯材层，去除部分所述阻焊层和部分所述芯材层形成所述容置槽。

在其中一个实施例中，所述PCB板上形成有阻焊层、铜箔层和芯材层，去除部分所述阻焊层、部分所述铜箔层和部分所述芯材层形成所述容置槽。

在其中一个实施例中，所述容置槽采用蚀刻工艺形成。

在其中一个实施例中，所述容置槽采用激光切削形成。

上述的底部进音麦克风包括PCB板、MEMS芯片、ASIC芯片和外壳，PCB板上开设有容置槽，MEMS芯片、ASIC芯片分别部分容置于对应的容置槽内并与PCB板电连接，外壳与PCB板连接，外壳罩住MEMS芯片和ASIC芯片。上述的底部进音麦克风通过在PCB上开设容置槽容置部分MEMS芯片和ASIC芯片能够降低MEMS芯片和ASIC芯片的封装高度，从而能够增大PCB板、MEMS芯片和PCB板围设形成的密闭腔体的体积，进而能够增大底部进音麦克风的产品信噪比、提高产品性能，并且，PCB板开槽结构简单、加工成本低，能够有效节约产品设计成本。

附图说明

图1是一个实施例中底部进音麦克风的结构剖视图；

图2是另一个实施例中底部进音麦克风的结构剖视图；

图3是以往常规PCB板的结构示意图；

图4是本实用新型的一个实施例中PCB板的结构剖视图；

图5是本实用新型的另一个实施例中PCB板的结构剖视图；

图6是本实用新型的又一个实施例中PCB板的结构剖视图。

附图标记说明：

10-PCB板，20-MEMS芯片，30-ASIC芯片，40-外壳，50-容置槽，60-密闭腔体，70-阻焊层，80-铜箔层，90-芯材层。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。