[实用新型]一种车用半导体非易失性存储器结构有效
| 申请号： | 202023327205.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN214226916U | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 马元春;原诚寅 | 申请（专利权）人： | 北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/11541;H01L27/11558 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张立君 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 非易失性存储器 结构 | ||
1.一种车用半导体非易失性存储器结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上形成有间隔设置的源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区；
绝缘层，覆盖所述沟道区，并至少覆盖靠近所述沟道区的所述源区和漏区的边缘；
浮栅，设置于所述绝缘层中，位于所述沟道区上方；
控制栅，设置于所述绝缘层中，位于所浮栅上方，所述控制栅和所述浮栅相互隔离；
缺陷改善层，设置于所述绝缘层中，位于所述浮栅的下方或上方或，在所述浮栅的上下两侧均设置所述缺陷改善层。
2.根据权利要求1所述的车用半导体非易失性存储器结构，其特征在于，所述控制栅包括平行于所述浮栅的主体区和设置在所述主体区外周的倾斜区，所述倾斜区向斜下方延伸。
3.根据权利要求1所述的车用半导体非易失性存储器结构，其特征在于，所述缺陷改善层在所述半导体衬底表面方向上的投影包围所述浮栅在所述半导体衬底表面方向上的投影。
4.根据权利要求2所述的车用半导体非易失性存储器结构，其特征在于，所述主体区在所述半导体衬底表面方向上的投影包围所述浮栅在所述半导体衬底表面方向上的投影。
5.根据权利要求2所述的车用半导体非易失性存储器结构，其特征在于，所述倾斜区的延伸长度为所述浮栅长度的0.1～0.3倍。
6.根据权利要求2所述的车用半导体非易失性存储器结构，其特征在于，所述倾斜区与所述半导体衬底表面方向的夹角为30-50度。
7.根据权利要求1所述的车用半导体非易失性存储器结构，其特征在于，所述缺陷改善层的厚度为所述浮栅厚度的0.1～0.8倍。
8.根据权利要求1所述的车用半导体非易失性存储器结构，其特征在于，所述缺陷改善层的材料包括氮化硅。
9.根据权利要求1所述的车用半导体非易失性存储器结构，其特征在于，所述缺陷改善层和所述绝缘层的材料均为二氧化硅，所述缺陷改善层和所述绝缘层在不同的工艺步骤中形成。
10.根据权利要求1所述的车用半导体非易失性存储器结构，其特征在于，所述浮栅和/或所述控制栅的材料包括多晶硅。
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