[实用新型]一种车用半导体非易失性存储器结构

说明书

本实用新型公开了一种车用半导体非易失性存储器结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有间隔设置的源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区；绝缘层，覆盖所述沟道区，并至少覆盖靠近所述沟道区的所述源区和漏区的边缘；浮栅，设置于所述绝缘层中，位于所述沟道区上方；控制栅，设置于所述绝缘层中，位于所浮栅上方，所述控制栅和所述浮栅相互隔离；缺陷改善层，设置于所述绝缘层中，位于所述浮栅的下方或上方或所述浮栅的上下两侧。本实用新型通过在浮栅的下方或上方或所述浮栅的上下两侧形成缺陷改善层，以改善由于绝缘层的缺陷引起的数据保持特性的劣化问题。

技术领域

本实用新型涉及燃料电池技术领域，更具体地，涉及一种车用半导体非易失性存储器结构。

背景技术

随着半导体行业的迅速发展，半导体器件已是人民生产、生活深度依赖的科技产品。按照应用领域可分为，电子消费级、工业级、军用级、车用级等，其中车用半导体器件应用非常广泛，参与车辆交通运输控制与百姓生命安全息息相关。提升车用半导体器件可靠性能，将车用半导体器件故障率降低为零是车用半导体第一追求的目标。

车用半导体器件按功能划分种类非常多样，非易失性存储器是其中重要一类，其技术路径有为2条：积层型栅存储器和电荷陷阱型悬浮栅(MONOS)型存储器。如图1，积层型栅存储器是在MOS管的基础上，通过在控制栅1与衬底之间的氧化膜(绝缘层)中增加浮栅2模块变化而来。该器件通过将电子蓄积在存储单元内的浮栅来保持数据。

目前制作的车用半导体非易失性存储器在规定工作环境范围内工作时，其数据可正常保持，但也出现过产品在设计寿命内出现异常问题的情况。

因此，有必要提出一种半导体非易失性存储器结构，能够提高半导体非易失性存储器结构的可靠性。

实用新型内容

本实用新型的目的是提出一种车用半导体非易失性存储器结构，能够提高半导体非易失性存储器结构的可靠性。

为实现上述目的，本实用新型提出了一种车用半导体非易失性存储器的结构，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成有间隔设置的源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区；

绝缘层，覆盖所述沟道区，并至少覆盖靠近所述沟道区的所述源区和漏区的边缘；

浮栅，设置于所述绝缘层中，位于所述沟道区上方；

控制栅，设置于所述绝缘层中，位于所浮栅上方，所述控制栅和所述浮栅相互隔离；

缺陷改善层，设置于所述绝缘层中，位于所述浮栅的下方或上方或所述浮栅的上下两侧。

作为可选方案，所述控制栅包括平行于所述浮栅的主体区和设置在所述主体区外周的倾斜区，所述倾斜区向斜下方延伸。

作为可选方案，所述缺陷改善层在所述半导体衬底表面方向上的投影包围所述浮栅在所述半导体衬底表面方向上的投影。

作为可选方案，所述主体区在所述半导体衬底表面方向上的投影包围所述浮栅在所述半导体衬底表面方向上的投影。

作为可选方案，所述倾斜区的延伸长度为所述浮栅长度的0.1～0.3倍。

作为可选方案，所述倾斜区与所述半导体衬底表面方向的夹角为30-50度。

作为可选方案，所述缺陷改善层的厚度为所述浮栅厚度的0.1～0.8倍。

作为可选方案，所述缺陷改善层的材料包括氮化硅。

作为可选方案，所述缺陷改善层和所述绝缘层的材料均为二氧化硅，所述缺陷改善层和所述绝缘层在不同的工艺步骤中形成。

作为可选方案，所述浮栅和/或所述控制栅的材料包括多晶硅。