[实用新型]自动计时蚀刻装置和蚀刻平台有效
申请号: | 202023339455.6 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN213936132U | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 蔡少忠;张洁;张煌珊;李思娜;许佳锋 | 申请(专利权)人: | 湖南三安半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自动 计时 蚀刻 装置 平台 | ||
1.一种自动计时蚀刻装置,其特征在于,包括驱动件、升降单元、托架和控制器,所述驱动件与所述升降单元连接,所述托架与所述升降单元连接,所述托架用于安装蚀刻样品,所述控制器与所述驱动件连接,用于控制所述驱动件将所述托架移动至蚀刻溶液中,所述控制器还用于对所述托架置于所述蚀刻溶液中的蚀刻时长进行计时。
2.根据权利要求1所述的自动计时蚀刻装置,其特征在于,所述托架包括连接杆和设于所述连接杆上的至少一个置物盘,多个所述置物盘间隔设置,用于放置所述蚀刻样品;所述连接杆与所述升降单元连接。
3.根据权利要求2所述的自动计时蚀刻装置,其特征在于,所述置物盘上远离所述连接杆的一端设有挡边,用于对所述置物盘上的蚀刻样品进行限位。
4.根据权利要求1所述的自动计时蚀刻装置,其特征在于,还包括冷却单元,所述冷却单元设于所述升降单元的周围,用于对蚀刻后的蚀刻样品降温;所述冷却单元与所述控制器连接。
5.根据权利要求4所述的自动计时蚀刻装置,其特征在于,所述冷却单元采用风扇。
6.根据权利要求1所述的自动计时蚀刻装置,其特征在于,所述升降单元包括丝杆,丝杆的一端与所述驱动件连接,另一端与所述托架连接;所述丝杆用于在所述驱动件的作用下带动所述托架沿所述丝杆的轴向移动。
7.根据权利要求6所述的自动计时蚀刻装置,其特征在于,所述丝杆远离所述驱动件的一端设有转接杆,所述转接杆与所述托架连接。
8.根据权利要求1所述的自动计时蚀刻装置,其特征在于,还包括安装支架,所述安装支架包括横梁、相对设置的第一立柱和第二立柱,所述横梁的一端与所述第一立柱连接,所述横梁的另一端与所述第二立柱连接;所述驱动件安装在所述横梁上。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的自动计时蚀刻装置,其特征在于,所述驱动件采用电机。
10.一种蚀刻平台,其特征在于,包括容器和如权利要求1至9中任一项所述的自动计时蚀刻装置,所述容器用于存放蚀刻溶液,所述容器与所述托架相对设置,以便于所述托架移进或移出所述容器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造